掺杂不同一维纳米材料的空穴缓冲层对有机电致发光器件性能的影响

对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强相互作用,才减少了PEDOT/MEH-PPV界面上猝灭发光的缺陷态的产生。在以MEH-PPV作为发光层的聚合物电致发光器件中,在PEDOT中掺杂二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒后,器件的最大效率分别提高了2倍和2.5倍。

新结构电致发光薄膜器件各层的优化

本文比较了以ＳｉＯ为预热层和以ＳｉＯ２／Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５为复合预热层的新结构器件的发光亮度和传导电流，并拟合出这三种器件热电子能量，得出以ＳｉＯ为预热层的新结构器件的热电子能量和发光亮度最高，比较了以ＳｉＯ２和ＺｎＳ分别作加速层对发光和传导电荷的影响，得出在提高注入电荷方面，以ＺｎＳ做加速层优于ＳｉＯ２做加速层；在提高热电子能量和发光亮度方面，以ＳｉＯ２做加速层要好于ＺｎＳ做加速层．

氟氧化物中Er^(3+)的上转换发光

研究了Er3 + 离子氟氧化物的上转换发光。在 980nm光的激发下 ,测量了Er3 + 离子浓度 (分别为 1mol%、2mol %、3mol% )不同时材料的上转换发光光谱。在可见光范围内 ,观察到了强红光和绿光 ,并且在短波段也观察到了光的发射 ,波峰分别位于 661、5 45、45 6、40 9和 3 80nm处。还测量了各样品的上转换发光强度随激发强度的变化情况 ,由LogIvis-LogIin曲线可知 ,红光为双光子过程和三光子过程 ,绿光为三光子过程。并初步研究了此材料的上转换过程和上转换通道。

LDPE农膜的光学设计

通过吸收光谱、荧光光谱分析研究了ＬＤＰＥ农膜的光学性质，阐述了ＬＤＰＥ农膜的颜色与吸收光谱之间的关系，讨论了农膜设计要注意的光学问题．

血清荧光法恶性肿瘤的普查

动物实验和临床实验结果表明，癌患者卟啉代谢异常。我们采用对血清中卟啉荧光分析进行恶性肿瘤普查。通过４００例健康普查，发现３例血清荧光呈阳性。后经临床诊断对照，１例肺癌，１例肝癌。

正电子湮没寿命与BaF_xCl_（2－x）：Eu^（2＋）中缺陷的关系

讨论了光激励发光材料ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋中的缺陷与正电子湮没寿命的关系．通过实验结出随着ｘ值的改变即Ｆ／Ｃｌ比值的变化对形成Ｆ色心的影响，并且给出了ｘ值与Ｆ色心的种类与浓度的关系．

电致发光材料MGa_2S_4:Ce的合成及其发光特性

用固相反应法制备 CaS， SrS， Ga2S3及 Ce2S3，进而合成了MGa2S4：Ce（M=Ca，Sr）电致发光材料.CaGa2S4和SrGa2S4同属D空间群中斜方晶系结构用430nm的光激发时，CaGa2S4:Ce3和SrGa2S4：Ce具有相似的发射谱带，都具有蓝、绿两个发射峰，它们分别对应着Ce3的2D（5d）→F5／2（4f）和2D（5d）→F7／2（4f）的跃迁MGa2S4：Ce粉末的光致发光光谱随 Ce3浓度的增加略向长波方向移动；浓度相同的SrGa2S4：Ce的光谱相对于CaGa2S4：Ce蓝移约10nm.MGa2S4：Ce的电致发光与粉 末材料的光致发光相比明显向短波方向移动// 关键词##4//

高场下发光中心激发能级上电子的离化

讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的深度。同时还考虑了碰撞和温度对发光中心离化的影响，计算并比较了场致离化、碰撞离化及热辅助离化的几率。结果发现。

无机薄膜电致发光研究进展

薄膜电致发光显示技术是主要的平板显示技术之一。文章综述了１９９６ 年以来在这一领域的研究进展，着重讨论了提高蓝光亮度的各种方案，并介绍了厚膜电致发光器件和 Ｚｎ Ｓ：

血卟啉光分解性质的研究

本文阐述了血卟啉的光分解性质。Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论指出，共轭分子随着π电子数的增加，分子的πＭ０能级变密，激发能降低，分子的激发带边红移。因此通过红移分析可以计算出共轭分子的π电子数。在强紫外光照射下血卟啉发生了光分解，其激发光谱发生了明显的变化，根据光谱数据可计算出血卟啉开环。

光激励发光材料BaFCl：Eu中的发光中心

本文研究了光激励发光材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中的发光中心。在不同的反应气氛下ＢａＦＣｌ：Ｅｕ具有不同的发光性质。利用光谱的方法、Ｘ射线光电子能谱的方法，研究了在不同条件下制备的ＢａＦＣｌ：Ｅｕ样品中，稀土离子Ｅｕ的性质。

ZnS：Ag^＋AC TFEL器件的制备及发光特性研究

通过对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件的光学性质的研究，探讨了能获得稳定兰色发光的ＴＦＥＬ器件的制备及有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的实验条件，同时讨论了光的干涉对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱的影响。在实验中得到的ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ光谱是包含几个隆起的宽带，通过计算证明这些隆起的出现与光的干涉有关。Ａｇ￣＋的浓度对ＺｎＳ：Ａｇ￣＋ＴＦＥＬ器件的发光亮度和稳定性有显著的影响，Ａｇ￣＋浓度约为０．０３ｍｏｌ％时，器件亮度较高，稳定性也较好。浓度再大时，亮度和稳定性较低。较高的电压有利于ＺｎＳ：Ａｇ￣＋兰色发光的提高，激发频率也存在一个最佳值。

SPC-A-1肺癌细胞的荧光研究

在３６８ｎｍ光激发下，ＳＰＣ—Ａ—１肺癌细胞在４１０ｎｍ处有一条荧光带，带宽７０ｎｍ。在同样条件激发下，正常人肺细胞在４６５ｎｍ处有一条荧光带，带宽６５ｎｍ。两者有明显的差别。这说明两者的发光中心结构不同。通过肺细胞对牛血清荧光猝灭的研究。

用计算机化的快速测量装置探测LB膜的分子二阶非线性光学极化率

ＬＢ膜上有机分子材料的分子二阶非线性光学极化率的测量，属于微弱信号探测，接收装置要求严格。本文利用二次谐波方法，测量单层ＬＢ膜上分子的分子二阶非线性光学极化率。装置中利用滤光片和暗盒，成功的解决了非倍频光对倍频光的干扰。使用计算机技术改进了接收装置，用软件对倍频信号进行处理，压低了随机误差。同时利用计算机计算出分子二阶非线性光学极化率，解决了测量后再计算的问题。这样可在测量时直接得知样品的详细信息，随时改变测量参数。从而提高了测量速度。经过对盐ＬＢ膜的实际测量，证明了装置的可靠性和快速性。

新结构TFEL器件的等效电路图

本工作通过对新结构ＴＦＥＬ器件的Ｑ－Ｖ曲线的分析，得到了新结构器件的等效电路图。该等效电路图也被器件的单向注入电荷与外加电压的关系曲线所证实。

溅射过程中氧分压对SiO_2薄膜程膜的影响

该工作采用光电子能谱、扫描电镜等方法研究了溅射镀膜条件对成膜质量的影响，说明溅射制膜时氧化压不能超过１３％，同时氧分压过低也对电子加速不利。

烷氧基取代聚对苯乙炔发光二极管性能的研究

本文报道了采用脱氧缩合反应得到可溶于一般有机溶剂的聚对苯乙烯衍生物（ROPPV）的光电性质．材料先致发光光谱说明ROPPVR光峰在578mm在610nm处存在一个振动模式，以ROPPV作为发光层制备了发光二极管并对其特性进行了讨论．

浅谈建筑工程招投标活动在企业管理中存在的问题及对策

近些年伴随着工程项目不断增加,在建筑工程方面招投标的管理工作也备受关注,逐渐成为企业管理的核心项目。建筑行业属于国民经济的支撑性产业,但是近些年因为行业准入门槛的下降导致工程项目越显良莠不齐,招投标管理便成为了整个招标管理系统以及企业管理的重中之重。招投标质量管理对于工程质量有着较高相关性,但是目前建筑工程项目的招投标管理工作仍然存在许多的问题,仍然需要采取积极有效的措施解决从而维护企业的利益以及项目的综合效益。对此,本文从企业管理角度着手,分析探讨建筑工程招投标活动的问题和应对策略,希望可以为相关工作者提供帮助。

SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究

芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。

Znse：Al电学性能的研究

本文研究了７７～３００Ｋ温度区间内ＺｎＳｅ：Ａｌ的电学性能，讨论了ＺｎＳｅ：Ａｌ中的缺陷及其补偿比，得出了随掺杂温度的升高，极化光学声子对载流子的散射作用变弱，电离杂质对载流子的散射作用变强的结论．同时，本文也给出了霍尔系数、载流子浓度与掺杂温度及测量温度的关系，计算了Ａｌ施主能级的电离能．