可控转移二维GaSe制备高性能光电探测器

采用机械剥离法制备二维GaSe纳米材料。光致发光光谱和拉曼光谱证明二维GaSe具有直接带隙,禁带宽度约为2.0 eV,具有较好的结晶质量。通过可控转移技术将二维GaSe放置于两个金属电极上,制成结构简单的光电探测器。光电探测器拥有较快的响应速度(约300 ms)和较高的开关比(约32)。在450 nm波长光照射时,光电探测器的响应度可达144.6 mA/W,外量子效率为39.9%。光电探测器对300 nm紫外光展示了最高的响应能力,响应度为677.2 mA/W,外量子效率为271.2%。缩短两电极间距能有效提升光电探测器的响应度和开关比。上述结果说明,将二维GaSe可控转移到电极上制成光电探测器的工艺流程是可行的,适用于制作高性能二维材料基光电探测器。