TD480高阻抗复合管科技攻关

TD480高阻抗复合管是一种采用兼容工艺制作的双极—MOS组合晶体管，早期的研制样品其质量及可靠性未能满足军品用户的高标准要求，为此又进行大量研究工作，终于实现了从实验室样品向批量生产的高规格的军品的转化。本文提出了为实现高规格攻关目标而必须解决的问题，详细探讨了存在问题的失效机理，阐述了针对失效模型而提出的解决问题的措施，重新确定了全部工艺流水线的各工艺程序及工艺条件，用新工艺流程生产出的电路经中国电子产品可靠性与环境试验研究所进行多达二十一项各类考核，全部得以通过，标明TD480复合管质量达到新的水平，而可靠性达到了国内领先的六级水平，现该产品已在航天领域得到满意的应用。

N沟E/D MOSLSI中耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制

本文介绍了铝栅N沟E/D MOS电路中双介质栅MNOS耗尽型负载器件的制作及其电特性的控制。研究了双层栅介质厚度和Si_3N_4生长条件对耗尽型负载器件在零栅压时的漏源电流I_0的影响。并发现,负载器件(?)强烈依赖于SiO_2膜厚度,它随SiO_2厚度增加而减小,而与Si_3N_4淀积条件及其厚度关系不显著。因此,严格控制SiO_2膜厚度以实现负载器件所要求的(?)值是极为重要的。夹断电压V_(TL)及衬底偏置效应得到了应有的控制并满足了电路要求。耗尽型负载管和增强型驱动管可直接集成,构成了铝栅N沟E/D MAOS/MNOS电路。