考虑阈值迟滞的碳化硅MOSFET开关暂态解析模型

由于SiC/SiO_(2)界面固有的高界面态密度,阈值迟滞现象一直影响碳化硅MOSFET的可靠性。为量化评估阈值迟滞对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先考虑了驱动电压的上升与下降时间,建立了驱动电压非理想突变的开关暂态模型;其次,按照IEC标准得到开关延时与开关损耗的解析表达式;然后,进行了不同驱动负压下的动态特性实验并提取了开关延时与开关损耗;最后,通过实验结果与解析模型的结合,解耦并量化了驱动负压与阈值迟滞对开关特性的影响,得到了阈值迟滞影响下驱动负压与阈值电压的关系。结果表明,驱动负压与阈值迟滞均会引起开通延时降低,但阈值迟滞对其影响远大于驱动负压。驱动负压对开通损耗无影响,但阈值迟滞会导致开通损耗的降低。

阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法

功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性(C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G))的准确测量对于器件的建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)的关键设备。在利用阻抗分析仪测量三端器件的某个参数时,需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。而功率MOSFET器件在栅压超过阈值电压时呈导通态,影响测量电路拓扑,进而引入其他测量误差。该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)进行详细的误差分析,揭示测量误差产生的原因;建立测量的等效电路,给出测量误差的解析表达式;结合实验和数值分析量化误差分析,验证了等效电路模型的有效性;最后,提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证。结果表明,测量误差发生在器件导通后,此时器件漏源极间由电容态转变为低阻态,屏蔽端的寄生电感(L_(5))与自动平衡电桥的等效输入阻抗(L_(3))分流,引入误差。当L_(3)和L_(5)满足一定的匹配关系时,可实现不同频率下的准确测量。

以疗愈功能为导向的景观交互装置设计策略

不同于传统景观,交互式景观改变了人与景观的关系并且给予人多方面的感受与体验,让人与景观的距离更近一步甚至融为一体。而疗愈型景观交互装置设计则是为了人们能够在交互体验的过程中更好地得到治愈而提出来的一个新的设计理念。本文首先根据亚健康人群的需求,提出了以疗愈功能为导向的景观交互装置设计原则,继而以马斯洛需求层次理论为基础提出了以疗愈功能为导向的景观交互装置设计策略,以期让交互式景观为人们带来更多益处。

从拓扑学视角探析工业遗产改造的途径——以武汉汉阳铁厂E地块示范区为例

汉阳铁厂曾经是武汉重要的工业基地,更是中国第一家官办钢铁企业,具有重要的历史意义和文化价值。随着社会的发展和时代的更迭,原来的工厂被废弃,成为工业遗址。文章从建筑拓扑学角度出发,对武汉汉阳铁厂E地块示范区进行分析,探讨工业遗产改造的新思路。