1
|
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 |
徐安怀
邹璐
陈晓杰
齐鸣
|
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
5
|
|
2
|
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 |
徐安怀
曲轶
杨进华
李忠辉
|
《长春光学精密机械学院学报》
|
2000 |
0 |
|
3
|
溶胶-凝胶法制备β-BBO粉体和薄膜 |
邢洪岩
刘景和
李建利
李艳红
张希艳
周稳锁
徐安怀
|
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
4
|
|
4
|
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性 |
孙浩
齐鸣
徐安怀
艾立鹍
朱福英
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
1
|
|
5
|
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析 |
孙浩
齐鸣
徐安怀
艾立鹍
苏树兵
刘新宇
刘训春
钱鹤
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
|
|
6
|
一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) |
金智
程伟
刘新宇
徐安怀
齐鸣
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
1
|
|
7
|
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文) |
程伟
金智
刘新宇
于进勇
徐安怀
齐鸣
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
1
|
|
8
|
InP基RTD特性的数值模拟研究 |
王伟
孙浩
孙晓玮
徐安怀
齐鸣
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
1
|
|
9
|
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 |
艾立鹍
徐安怀
孙浩
朱福英
齐鸣
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
1
|
|
10
|
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究 |
艾立鹍
徐安怀
孙浩
朱福英
齐鸣
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
1
|
|
11
|
基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC |
李献杰
赵永林
蔡道民
曾庆明
蒲运章
郭亚娜
王志功
王蓉
齐鸣
陈晓杰
徐安怀
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
|
12
|
基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文) |
于进勇
刘新宇
苏树兵
王润梅
徐安怀
齐鸣
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
|
13
|
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性 |
齐鸣
徐安怀
艾立鹍
孙浩
朱福英
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
|
14
|
162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文) |
于进勇
严北平
苏树兵
刘训春
王润梅
徐安怀
齐 鸣
刘新宇
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
|
15
|
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文) |
孙浩
齐鸣
艾立鹍
徐安怀
滕腾
朱福英
|
《电子器件》
CAS
|
2011 |
0 |
|
16
|
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 |
万春明
徐安怀
曲轶
|
《吉林工业大学自然科学学报》
CSCD
北大核心
|
2001 |
0 |
|
17
|
《刑法》应增设保证人违责罪 |
徐安怀
|
《检察实践》
|
2001 |
1
|
|
18
|
基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT |
苏树兵
徐安怀
刘新宇
齐鸣
刘训春
王润梅
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
2
|
|
19
|
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 |
林玲
徐安怀
孙晓玮
齐鸣
|
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
2
|
|
20
|
MBE生长的InP DHBT的性能(英文) |
苏树兵
刘新宇
徐安怀
于进勇
齐鸣
刘训春
王润梅
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
|
|