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工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响
被引量:
7
1
作者
曹德峰
万小波
+8 位作者
邢丕峰
易泰民
杨蒙生
郑凤成
徐导进
王昆黍
楼建设
孔泽斌
祝伟明
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期71-74,共4页
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量...
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8 Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小。
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关键词
MO薄膜
直流磁控溅射
工作气压
晶粒尺寸
微观应力
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职称材料
典型CMOS存储器电离辐照效应
被引量:
2
2
作者
徐导进
刘伟鑫
+2 位作者
王晨
蔡楠
吾勤之
《上海航天》
2011年第1期65-68,共4页
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现:不加电(冷备份)状态...
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现:不加电(冷备份)状态的60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。
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关键词
电离辐照效应
辐照偏置
退火效应
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职称材料
超声波检测技术在塑封元器件中的应用
被引量:
9
3
作者
曹德峰
王昆黍
+3 位作者
张辉
孔泽斌
祝伟明
徐导进
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2014年第5期383-387,393,共6页
超声波检测是一种非常重要的无损检测方法,能灵敏地探测塑封器件的内部缺陷。分别在超声波扫描的单点扫描工作模式、截面扫描工作模式、层扫描工作模式和穿透式扫描工作模式下,结合X光检测技术对霍尔电路元器件进行了检测。分析了霍尔...
超声波检测是一种非常重要的无损检测方法,能灵敏地探测塑封器件的内部缺陷。分别在超声波扫描的单点扫描工作模式、截面扫描工作模式、层扫描工作模式和穿透式扫描工作模式下,结合X光检测技术对霍尔电路元器件进行了检测。分析了霍尔电路器件超声波扫描检测结果中出现内部分层问题的主要因素,提出了利用超声波扫描检测技术对大批量元器件进行筛选检测时需要注意的问题。分析结果对提高塑封元器件可靠性具有一定的指导意义。
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关键词
超声扫描检测
霍尔电路
可靠性
失效机理
分层缺陷
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职称材料
正弦波测量高速模数转换器(ADC)的INL/DNL
被引量:
3
4
作者
许伟达
徐导进
+1 位作者
潘潇雨
刘伟
《计算机与数字工程》
2019年第2期481-484,共4页
积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)是数据转换器(ADC)最重要的参数之一,在高速、高动态性能数据转换器中尤其重要,对高分辨率成像应用中具有重要意义。论文简要回顾了这两个参数的定义,并系统性阐述一种非常用的正弦波测量高速模数转换...
积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)是数据转换器(ADC)最重要的参数之一,在高速、高动态性能数据转换器中尤其重要,对高分辨率成像应用中具有重要意义。论文简要回顾了这两个参数的定义,并系统性阐述一种非常用的正弦波测量高速模数转换器(ADC)的INL/DNL的方法。
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关键词
模数转换器
积分非线性
微分非线性
正弦波测试方法
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职称材料
高速模数转换器RHF1201测试技术研究
5
作者
许伟达
徐导进
+1 位作者
刘伟
潘潇雨
《计算机与数字工程》
2019年第1期37-39,129,共4页
论文介绍高速模数转换器RHF1201特性,在测试项目动态参数开发过程如何选择合适的测试资源,设计适合器件测试的接口电路,减少噪声的引入满足动态参数的测试。
关键词
模数转换器
信噪比
信纳比
谐波失真
无杂散动态范围
有效数据位
抖动
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职称材料
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
被引量:
1
6
作者
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期584-587,共4页
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值...
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。
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关键词
光电器件
电离辐照效应
氧化物陷阱电荷
界面态陷阱电荷
原文传递
题名
工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响
被引量:
7
1
作者
曹德峰
万小波
邢丕峰
易泰民
杨蒙生
郑凤成
徐导进
王昆黍
楼建设
孔泽斌
祝伟明
机构
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
上海精密计量测试研究所
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期71-74,共4页
文摘
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8 Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小。
关键词
MO薄膜
直流磁控溅射
工作气压
晶粒尺寸
微观应力
Keywords
molybdenum films
direct current magnetron sputtering
working pressure
grain size
microstrain
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
典型CMOS存储器电离辐照效应
被引量:
2
2
作者
徐导进
刘伟鑫
王晨
蔡楠
吾勤之
机构
上海航天技术基础研究所
出处
《上海航天》
2011年第1期65-68,共4页
文摘
对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现:不加电(冷备份)状态的60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。
关键词
电离辐照效应
辐照偏置
退火效应
Keywords
Ionizing irradiation effect
Irradiation bias
Annealing effect
分类号
V520.6 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]
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职称材料
题名
超声波检测技术在塑封元器件中的应用
被引量:
9
3
作者
曹德峰
王昆黍
张辉
孔泽斌
祝伟明
徐导进
机构
上海精密计量测试研究所
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2014年第5期383-387,393,共6页
文摘
超声波检测是一种非常重要的无损检测方法,能灵敏地探测塑封器件的内部缺陷。分别在超声波扫描的单点扫描工作模式、截面扫描工作模式、层扫描工作模式和穿透式扫描工作模式下,结合X光检测技术对霍尔电路元器件进行了检测。分析了霍尔电路器件超声波扫描检测结果中出现内部分层问题的主要因素,提出了利用超声波扫描检测技术对大批量元器件进行筛选检测时需要注意的问题。分析结果对提高塑封元器件可靠性具有一定的指导意义。
关键词
超声扫描检测
霍尔电路
可靠性
失效机理
分层缺陷
Keywords
ultrasonic scanning inspection
Hall circuit
reliability
failure mechanism
delami-nation defect
分类号
TG115.28 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
正弦波测量高速模数转换器(ADC)的INL/DNL
被引量:
3
4
作者
许伟达
徐导进
潘潇雨
刘伟
机构
上海精密计量测试研究所
出处
《计算机与数字工程》
2019年第2期481-484,共4页
文摘
积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)是数据转换器(ADC)最重要的参数之一,在高速、高动态性能数据转换器中尤其重要,对高分辨率成像应用中具有重要意义。论文简要回顾了这两个参数的定义,并系统性阐述一种非常用的正弦波测量高速模数转换器(ADC)的INL/DNL的方法。
关键词
模数转换器
积分非线性
微分非线性
正弦波测试方法
Keywords
ADC
INL
DNL
sinewave test method
分类号
TP622 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
高速模数转换器RHF1201测试技术研究
5
作者
许伟达
徐导进
刘伟
潘潇雨
机构
上海精密计量测试研究所
出处
《计算机与数字工程》
2019年第1期37-39,129,共4页
文摘
论文介绍高速模数转换器RHF1201特性,在测试项目动态参数开发过程如何选择合适的测试资源,设计适合器件测试的接口电路,减少噪声的引入满足动态参数的测试。
关键词
模数转换器
信噪比
信纳比
谐波失真
无杂散动态范围
有效数据位
抖动
Keywords
ADC
SNR
SINAD
THD
SFDR
ENOB
Jitter
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
被引量:
1
6
作者
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
机构
上海航天技术研究院第八O八研究所
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期584-587,共4页
文摘
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。
关键词
光电器件
电离辐照效应
氧化物陷阱电荷
界面态陷阱电荷
Keywords
Optoelectrical device, Ionizing irradiation effect, Oxide-trap charge, Interface-trap charge
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
TN36 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响
曹德峰
万小波
邢丕峰
易泰民
杨蒙生
郑凤成
徐导进
王昆黍
楼建设
孔泽斌
祝伟明
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
7
下载PDF
职称材料
2
典型CMOS存储器电离辐照效应
徐导进
刘伟鑫
王晨
蔡楠
吾勤之
《上海航天》
2011
2
下载PDF
职称材料
3
超声波检测技术在塑封元器件中的应用
曹德峰
王昆黍
张辉
孔泽斌
祝伟明
徐导进
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2014
9
下载PDF
职称材料
4
正弦波测量高速模数转换器(ADC)的INL/DNL
许伟达
徐导进
潘潇雨
刘伟
《计算机与数字工程》
2019
3
下载PDF
职称材料
5
高速模数转换器RHF1201测试技术研究
许伟达
徐导进
刘伟
潘潇雨
《计算机与数字工程》
2019
0
下载PDF
职称材料
6
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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