In_(1-x)Al_xSb外延层的E_1和E_1+Δ_1的光调制反射光谱研究

首次用光调制反射光谱的实验测量方法,在～10K下对In_(1-x)Al_xSb(0≤x≤0.55)外延层的光跃迁E_1和E_1+△_1及其谱线展宽ω,进行实验测定。由测定结果,得到对E_1和E_1+△_1的弯曲参数分别为0.752eV和0.723eV。

半导体材料深低温下的调制反射光谱研究

本文在深低温(约10 K)下,对生长在(001)Insb 基板上的 In_(1-x)Al_xSb 单外延层,用调制反射光谱方法,首次进行了 E_1和 E_1+Δ_1光跃迁的光反射测量。温度范围从8 K 到300 K,组分 x 范围从0到0.55的样品的光反射测量结果,经计算机处理后,用图示出 E_1和 E_1+Δ_1随 x 值变化的关系。