一种基于GDK-means的高校贫困生信息隐私保护方法研究

高校在对贫困生的资助过程中,为保证公开、公平,会获取相关学生很多关键性隐私数据,如贫困原因、生源所在地、家庭收入、家庭成员、在校消费等敏感隐私数据。同时资助的结果又要求必须公开以保证管理过程的公正性。针对高校对贫困生数据发布中的公开与隐私保护之间的矛盾,提出了一种基于GDK-means的隐私保护方法。在该算法下,在K-means聚类的基础上,对生成的簇进行簇内泛化,来对发布的敏感数据进行去隐私化处理,以达到用户隐私保护的目的,同时量化了处理所带来的信息丢失度。经理论分析和实验,验证了采用GDK-means算法,在保证数据可用性的前提下,可实现数据发布中较好的隐私保护性。

模糊C-均值聚类算法在大学生困难等级认定中的应用

大学生困难等级认定是教育扶贫中的一个重要环节,为避免认定过程过于主观而缺乏科学性,将模糊C均值聚类算法应用于学生信息数据的分析.首先对实验数据规格化,结合5个评定指标,建立模糊相似矩阵;然后采用模糊聚类分析的方法计算其传递闭包,得到模糊等价矩阵;最后按照等级认定要求加经验法检查分类结果的有效性.结果表明:使用模糊C均值聚类在完成大学生困难等级认定是可行的,能为实现教育精准扶贫提供参考依据.

钛合金宽弦空心风扇叶片高温弯扭成形及性能调控研究

利用UTM 5504X电子万能试验机对TC4钛合金在变形温度650~850℃和应变速率10^(-3)–1 s^(-1)条件下进行高温拉伸试验,研究了TC4钛合金热变形行为,建立了修正的Misiolek硬化方程,可以准确预测该材料在不同变形条件下的流动应力。同时构建TC4钛合金空心叶片的高温弯扭成形有限元模型,结合有限元仿真研究结果确定空心风扇叶片弯扭成形的最佳工艺参数为扭转成形温度750℃、扭转成形截面550 mm和扭转角速度1.938°/min。结合微观组织试验观察发现,高温变形条件下α相含量减少,β相含量持续升高,材料具备较高的延伸率和塑性成形性能。最终通过弯扭成形制备的空心叶片的叶身整体过渡圆滑、无表面缺陷,成形质量良好,研究结果可为TC4钛合金宽弦空心风扇叶片批量化制造生产提供指导性意见。

新常态下北京水产品批发市场发展趋势

当前，我国经济发展正在迈入新的阶段，出现了趋势性、不可逆的新常态。北京市水产品批发市场如何更好正确认识经济新常态对行业带来的影响，进而主动适应和牢牢把握经济新常态下带来的新机遇，成为摆在每一名水产品市场经营管理者面前的重要课题。鉴于此，笔者对新常态下北京水产品批发市场的发展趋势进行了专题研究，以供行业决策者参考，并对水产商户发展有所裨益。

国有企业党委领导作用的实现路径

《中国共产党党章》明确规定,国有企业党委(党组)发挥领导作用,把方向、管大局、保落实,依照规定讨论和决定企业重大事项。本文拟从党的领导融入公司治理入手,尝试探究新时代国有企业党委如何更好发挥“把方向、管大局、保落实”作用的具体实现路径,以供相关企业经营者参考。

王晓凤主任医师治疗萎缩性胃炎学术思想初探

在现代医学迅速发展的推动作用下,中医学对慢性萎缩性胃炎(Chronic Atrophic Gastritis,CAG)展开了系统而深入的研究,涉及到理、法、方、药及基础研究等各个方面。王晓凤主任医师治疗萎缩性胃炎疗效显著,总结其学术思想有6大特点:①首重健脾益气,活血化瘀;②中西医结合,标本兼顾,准确辨夹症,用药轻灵;③平调平治,平补平泻,用药少苦寒,顾护胃气;④中医宏观辨证与西医胃镜下微观辨证相结合,注重基础研究;⑤注重四时用药,天人相应,用相反药对,相持相成;⑥防治结合,管理并发症,重视随访。文章通过介绍其治疗萎缩性胃炎学术思想,旨在为临床治疗提供一定参考,提高有效率。

王晓凤主任医师运用自拟健脾活血汤临证验案举隅

健脾活血汤是王晓凤主任医师躬身临床数十载,针对各类常见消化道疾病的临床特点,根据其多年治疗经验及用药规律所总结自拟的经验用方。该方以四君子汤为基础,酌加活血化瘀之品,在治疗证属脾虚血瘀型病证方面取得显著疗效,也充分体现其中医治疗首重健脾益气,活血化瘀的学术思想。

SiCf/SiC复合材料与镍基高温合金钎焊接头的组织及性能

针对新型耐高温复合材料(SiCf/SiC)的加工性差的问题,采用AuCuTi/Mo/AuCuTi复合钎料对其与镍基高温合金进行钎焊研究。通过探究不同温度下的接头力学性能及组织演变规律,对界面反应和应力缓释机理进行分析。在1 050℃/10 min的工艺参数下,接头室温剪切强度最高达到79 MPa。接头典型的界面结构为GH536/(Ni,Cr,Mo,Fe)+TiNi_(3)+Ti_(2)Ni+AuCuI/TiNi_(3)+Ti_(2)Ni+TiNi+AuCuI/σ/Mo/Mo_(4.8)Si_(3)C_(0.6)/Ti_(5)Si_(3)Cx/Ti_(5)Si_(3)Cx+TiC+AuCuI/Ti_(3)SiC_(2)/SiCf/SiC。当温度较低时,界面反应程度较低,因此陶瓷/钎料异质界面难以形成连续的Ti_(5)Si_(3)C_(x)+TiC连接层;而当钎焊温度增加到1 050℃时,异质界面处开始形成厚度约为3μm的Ti_(3)SiC_(2),从而实现有效地连接。当温度继续升高到1 100℃时,Cr元素在Mo箔中的扩散程度增加,并在陶瓷/钎料异质界面处发生富集。而此时过厚的界面反应层(10μm)则是引起接头剪切降低的主要原因。使用该钎焊体系有助于阻碍母材之间的剧烈反应以及缓解接头的热应力,在一定程度上改善了SiCf/SiC在实际应用中的加工困难问题。