Zn∶Eu∶LiNbO_3晶体光折变效应的研究

本文报导了Ｚｎ∶Ｅｕ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的１１生长，测试了晶体抗光致散射能力。研究Ｚｎ∶Ｅｕ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明，Ｚｎ∶Ｅｕ∶ＬｉＮｂＯ３晶体具有较高的抗光致散射能力和响应速度。

Tb、Fe双掺LiNbO_3晶体的生长及其光折变效应的研究

用提拉法从熔体中生长出Ｔｂ、Ｆｅ双掺ＬｉＮｂＯ＿３晶体，用二波耦合方法测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间．Ｔｂ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３薄晶片中，由于光爬行作用，使得晶体的指数增益系数和衍射效率大大增强，掺入Ｔｂ后晶体的光电导值增大，响应时间缩短。

Pr：Fe：LiNbO_3晶体的生长及其四波混频位相共轭效应的研究

本文报道了Ｐｒ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长，利用简并四波混频测试了Ｐｒ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相共轭温度效应。并且测试了Ｐｒ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的非简并四波混频变频位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Ｐｒ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ＿３晶体提高响应速度和抗光散射的机理。

Ce∶Pr∶LiNbO_3晶体的生长及其光折变特性的研究

本文报道了Ｃｅ∶Ｐｒ∶ＬｉＮｂＯ＿３晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｐｒ∶ＬｉＮｂＯ＿３晶体作存储元件，实现全息关联存储，图象清晰完整。

光致折射晶体Ce-SBN的双光束耦合、放大的特性

本文报道了考虑吸收后的光致折射晶体Ce-SBN中双光束耦台方程的数值解;并与实验作了比较.推算了在Ce-SBN晶体中钡含量在 0.25或 0.75二端值时晶体将有最佳光致折射效应.

光致折变晶体中相位光栅的相位移动的物理作用

在光致折变晶体(如SBN,BaTiO_3等)中发生两波混频及能量耦合是由于晶体干涉场内产生了相对于干涉场有相位移动的折射率光栅(相位光栅),这已被实验和理论证实。如果仅有两波混频产生的相位光栅,而此光栅相对于干涉场并无相位移动,或相位移动量较小(不足π/2),此时不会发生波能量耦合或耦合极微弱。1981年A.Yariv用耦合波方程从数学上解决了这个问题。