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Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究
1
作者
王古平
杨建成
徐方贤
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第11期2561-2566,共6页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未...
采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相。晶格常数减小,Li+以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li+从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高。当x达到0.08时出现杂质第二相Li2CO3。Li+晶格占位对其磁性能具有重要影响。
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关键词
氧化锌
锂掺杂
微结构
稀磁半导体
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职称材料
题名
Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究
1
作者
王古平
杨建成
徐方贤
机构
浙江台州学院物理与电子工程学院
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第11期2561-2566,共6页
基金
台州学院培育基金项目资助
文摘
采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相。晶格常数减小,Li+以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li+从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高。当x达到0.08时出现杂质第二相Li2CO3。Li+晶格占位对其磁性能具有重要影响。
关键词
氧化锌
锂掺杂
微结构
稀磁半导体
Keywords
ZnO Li-doping microstructure dilute magnetic semiconductors
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究
王古平
杨建成
徐方贤
《科学技术与工程》
北大核心
2012
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