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Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究
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作者 王古平 杨建成 徐方贤 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第11期2561-2566,共6页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体。用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响。用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相。晶格常数减小,Li+以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li+从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高。当x达到0.08时出现杂质第二相Li2CO3。Li+晶格占位对其磁性能具有重要影响。 展开更多
关键词 氧化锌 锂掺杂 微结构 稀磁半导体
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