SiC MESFET技术与器件性能

介绍了 Si C MESFET器件的技术和性能。用 Si C材料制造的 MESFET的射频功率密度达到 4.6 W/mm,功率增加效率 (PAE)达到 6 5 .7%,击穿电压超过 1 0 0 V,表明 Si C器件具有高功率密度和高效率 ,在高功率微波应用中具有巨大的潜力。

4H-SiC MESFET的特性研究

对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。

新加坡华文口试的特点及启示

新加坡的双语制度成功地架起了新加坡与其他国家沟通的桥梁．同时也保留了自己的民族文化。新加坡政府规定，英语是新加坡的共通语言，第二语言是各民族的母语，即华族的华语、巫族的马来语、印族的淡米尔语。新加坡的小学生除了用英语修读大多数科目外，每天还要花一定时间学习各自的母语。各个学校都非常重视母语的口语能力测试。以下着重介绍新加坡华文口试的特点。

明确规范 加强培训 落实跨世纪局级党政干部的培养工作

按照中共上海市委关于加强中青年干部和紧缺人才培养的意见,市建设党委从本系统实际出发,提出了在近期内建立起100名党政复合型后备人才、200名城市建设后备人才、300名专业带头人后备人才等3支跨世纪干部队伍的'123'工程的设想,并确定由干部处作前期准备工作,抽调人员组成课题组进行调查研究。

4H-SiC MOSFET的温度特性研究

对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80