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SiC MESFET技术与器件性能
被引量:
2
1
作者
徐昌发
杨银堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期7-10,共4页
介绍了 Si C MESFET器件的技术和性能。用 Si C材料制造的 MESFET的射频功率密度达到 4.6 W/mm,功率增加效率 (PAE)达到 6 5 .7%,击穿电压超过 1 0 0 V,表明 Si C器件具有高功率密度和高效率 ,在高功率微波应用中具有巨大的潜力。
关键词
碳化硅
肖特基势垒二极管
MESFET
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职称材料
4H-SiC MESFET的特性研究
2
作者
徐昌发
杨银堂
朱磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期74-77,共4页
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密...
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。
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关键词
MESFET
碳化硅
场效应器件
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职称材料
新加坡华文口试的特点及启示
3
作者
徐昌发
陈莉
《小学教学参考(语文版)》
2007年第5期7-8,共2页
新加坡的双语制度成功地架起了新加坡与其他国家沟通的桥梁.同时也保留了自己的民族文化。新加坡政府规定,英语是新加坡的共通语言,第二语言是各民族的母语,即华族的华语、巫族的马来语、印族的淡米尔语。新加坡的小学生除了用英语...
新加坡的双语制度成功地架起了新加坡与其他国家沟通的桥梁.同时也保留了自己的民族文化。新加坡政府规定,英语是新加坡的共通语言,第二语言是各民族的母语,即华族的华语、巫族的马来语、印族的淡米尔语。新加坡的小学生除了用英语修读大多数科目外,每天还要花一定时间学习各自的母语。各个学校都非常重视母语的口语能力测试。以下着重介绍新加坡华文口试的特点。
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关键词
新加坡政府
口试
华文
第二语言
民族文化
能力测试
双语制
母语
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职称材料
明确规范 加强培训 落实跨世纪局级党政干部的培养工作
4
作者
年继业
徐昌发
《上海城市管理》
1994年第1期42-44,共3页
按照中共上海市委关于加强中青年干部和紧缺人才培养的意见,市建设党委从本系统实际出发,提出了在近期内建立起100名党政复合型后备人才、200名城市建设后备人才、300名专业带头人后备人才等3支跨世纪干部队伍的'123'工程的设想...
按照中共上海市委关于加强中青年干部和紧缺人才培养的意见,市建设党委从本系统实际出发,提出了在近期内建立起100名党政复合型后备人才、200名城市建设后备人才、300名专业带头人后备人才等3支跨世纪干部队伍的'123'工程的设想,并确定由干部处作前期准备工作,抽调人员组成课题组进行调查研究。
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关键词
干部培训
中青年干部
后备干部
专业带头人
科学决策能力
局级干部
城市建设
紧缺人才培养
驾驭全局
理论政策水平
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职称材料
4H-SiC MOSFET的温度特性研究
被引量:
10
5
作者
徐昌发
杨银堂
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1113-1117,共5页
对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80
关键词
4H-SIC
MOSFET
碳化硅
半导体材料
器件结构
结构参数
原文传递
题名
SiC MESFET技术与器件性能
被引量:
2
1
作者
徐昌发
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期7-10,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 9776 0 2 3)
教育部"跨世纪人才基金"资助项目
文摘
介绍了 Si C MESFET器件的技术和性能。用 Si C材料制造的 MESFET的射频功率密度达到 4.6 W/mm,功率增加效率 (PAE)达到 6 5 .7%,击穿电压超过 1 0 0 V,表明 Si C器件具有高功率密度和高效率 ,在高功率微波应用中具有巨大的潜力。
关键词
碳化硅
肖特基势垒二极管
MESFET
Keywords
Silicon carbide
Schottky barrier diode
MESFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
4H-SiC MESFET的特性研究
2
作者
徐昌发
杨银堂
朱磊
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期74-77,共4页
基金
国家自然科学基金(69976023)
教育部跨世纪优秀人才基金
国防科技预研基金资助项目
文摘
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。
关键词
MESFET
碳化硅
场效应器件
Keywords
H-SiC
MESFET
properties
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新加坡华文口试的特点及启示
3
作者
徐昌发
陈莉
机构
重庆九龙坡区教研室
新加坡万慈学校
出处
《小学教学参考(语文版)》
2007年第5期7-8,共2页
文摘
新加坡的双语制度成功地架起了新加坡与其他国家沟通的桥梁.同时也保留了自己的民族文化。新加坡政府规定,英语是新加坡的共通语言,第二语言是各民族的母语,即华族的华语、巫族的马来语、印族的淡米尔语。新加坡的小学生除了用英语修读大多数科目外,每天还要花一定时间学习各自的母语。各个学校都非常重视母语的口语能力测试。以下着重介绍新加坡华文口试的特点。
关键词
新加坡政府
口试
华文
第二语言
民族文化
能力测试
双语制
母语
分类号
G633.41 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
明确规范 加强培训 落实跨世纪局级党政干部的培养工作
4
作者
年继业
徐昌发
机构
上海市建设党校
上海市建设党委干部处
出处
《上海城市管理》
1994年第1期42-44,共3页
文摘
按照中共上海市委关于加强中青年干部和紧缺人才培养的意见,市建设党委从本系统实际出发,提出了在近期内建立起100名党政复合型后备人才、200名城市建设后备人才、300名专业带头人后备人才等3支跨世纪干部队伍的'123'工程的设想,并确定由干部处作前期准备工作,抽调人员组成课题组进行调查研究。
关键词
干部培训
中青年干部
后备干部
专业带头人
科学决策能力
局级干部
城市建设
紧缺人才培养
驾驭全局
理论政策水平
分类号
D262.3 [政治法律—中共党史]
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职称材料
题名
4H-SiC MOSFET的温度特性研究
被引量:
10
5
作者
徐昌发
杨银堂
刘莉
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1113-1117,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 2 3)
教育部跨世纪优秀人才基金
国防科技预研基金资助的课题~~
文摘
对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80
关键词
4H-SIC
MOSFET
碳化硅
半导体材料
器件结构
结构参数
Keywords
4H-SiC
MOSFET
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC MESFET技术与器件性能
徐昌发
杨银堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
2
4H-SiC MESFET的特性研究
徐昌发
杨银堂
朱磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
3
新加坡华文口试的特点及启示
徐昌发
陈莉
《小学教学参考(语文版)》
2007
0
下载PDF
职称材料
4
明确规范 加强培训 落实跨世纪局级党政干部的培养工作
年继业
徐昌发
《上海城市管理》
1994
0
下载PDF
职称材料
5
4H-SiC MOSFET的温度特性研究
徐昌发
杨银堂
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
10
原文传递
已选择
0
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引证文献
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