利用硅烷偶联剂KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷(POSS)溶胶为模板剂,经热解制备低介电多孔薄膜材料.使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究,通过29S i NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM...利用硅烷偶联剂KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷(POSS)溶胶为模板剂,经热解制备低介电多孔薄膜材料.使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究,通过29S i NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征.制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1 nm,比表面积为384.1 m2/g,介电常数为2.5的低.展开更多
文摘利用硅烷偶联剂KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷(POSS)溶胶为模板剂,经热解制备低介电多孔薄膜材料.使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究,通过29S i NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征.制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1 nm,比表面积为384.1 m2/g,介电常数为2.5的低.