Gd_(2)O_(3)掺杂BiFeO_(3)陶瓷的漏电流特性及磁性能研究

本文采用快速液相烧结法制备了Gd_(2)O_(3)掺杂BiFeO_(3)陶瓷,并对陶瓷样品进行了物相、形貌、漏电流特性和磁性能研究。XRD分析结果表明,Gd_(2)O_(3)的加入促进了富铋相(Bi 25 FeO 40)的形成且使晶胞体积减小,同时陶瓷的物相由三方相向正交相转变;SEM分析结果表明,Gd_(2)O_(3)掺杂能起到细化陶瓷晶粒的作用;电学性能分析表明,陶瓷样品漏电流较大,但Gd_(2)O_(3)的掺杂可显著降低陶瓷的漏电流;漏电流特性分析结果表明,陶瓷在低电场下的漏电流特性是欧姆传导机制,在高电场下纯BiFeO_(3)陶瓷的漏电流特性为肖特基发射机制,但随着Gd_(2)O_(3)掺杂量的增加而逐渐变为空间电荷限制电流传导(SCLC)机制;磁性研究结果表明,掺杂引入的磁性Gd_(2)O_(3)颗粒均匀分布在陶瓷的晶界处从而显著提高陶瓷磁性能。

ZnO/BiFeO_(3)复合陶瓷的制备和电学性能研究

采用溶胶—凝胶和固相反应相结合的方法制备了ZnO/BiFeO_(3)复合陶瓷,并对陶瓷样品进行了物相结构、微观形貌和电学性能的研究。研究表明:纳米粉体的退火温度为550℃、复合陶瓷煅烧温度为800℃、纳米ZnO添加量为7.5%时,所制复合陶瓷的晶粒形状和尺寸较为规则,Pr、Ps和Ec分别为0.053μC·cm^(-2)、0.388μC·cm^(-2)和5.58 kV·cm^(-1)。