直拉单晶硅生长过程中的控氧技术研究及标准

由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数.通过研究能够分析出直拉单硅晶生产中氧杂质引入机理及其对晶体质量影响的基础上,进一步的讲述通过对氩气流量以及炉内压力、埚位、晶体转速和坩埚转速等拉晶等条件的改变,以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中氧含量及分布均匀性,提高晶体质量.