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MOCVD工艺中使用的特种气体
1
作者
徐稼迟
沈能珏
《低温与特气》
CAS
1985年第4期37-39,共3页
一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。
关键词
MOCVD工艺
特种气体
化学气相淀积法
MOCVD法
化合物半导体
金属氢化物
金属有机物
挥发性
相类似
硅外延
下载PDF
职称材料
汽车电子产品的发展现状和开发策略
2
作者
徐稼迟
《江苏电子月刊》
1989年第2期7-11,共5页
关键词
汽车
电子产品
下载PDF
职称材料
加磁场生长SI—GaAs单晶
3
作者
刘力宾
徐稼迟
《半导体杂志》
1989年第4期43-47,共5页
关键词
砷化镓
单晶
磁场
拉晶技术
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD工艺中使用的特种气体
1
作者
徐稼迟
沈能珏
出处
《低温与特气》
CAS
1985年第4期37-39,共3页
文摘
一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似的生长装置,进行化合物半导体的外延淀积。
关键词
MOCVD工艺
特种气体
化学气相淀积法
MOCVD法
化合物半导体
金属氢化物
金属有机物
挥发性
相类似
硅外延
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
TQ117 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
汽车电子产品的发展现状和开发策略
2
作者
徐稼迟
出处
《江苏电子月刊》
1989年第2期7-11,共5页
关键词
汽车
电子产品
分类号
U463 [机械工程—车辆工程]
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职称材料
题名
加磁场生长SI—GaAs单晶
3
作者
刘力宾
徐稼迟
出处
《半导体杂志》
1989年第4期43-47,共5页
关键词
砷化镓
单晶
磁场
拉晶技术
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
MOCVD工艺中使用的特种气体
徐稼迟
沈能珏
《低温与特气》
CAS
1985
0
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职称材料
2
汽车电子产品的发展现状和开发策略
徐稼迟
《江苏电子月刊》
1989
0
下载PDF
职称材料
3
加磁场生长SI—GaAs单晶
刘力宾
徐稼迟
《半导体杂志》
1989
0
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职称材料
已选择
0
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