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采用响应曲面法对Capto adhere填料进行工艺优化
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作者 吴光昊 何慧丹 +2 位作者 徐翀颿 顾鑫 刘彦君 《上海医药》 CAS 2020年第9期67-71,79,共6页
为对复合阴离子Capto adhere填料进行纯化工艺优化,在前期单因素试验基础上,CHO细胞表达的IgG1型单克隆抗体细胞培养上清液经亲和层析纯化后,采用中心复合表面设计(CCF)法优化Capto adhere填料纯化工艺。以收率、纯度、HCP清除率为响应... 为对复合阴离子Capto adhere填料进行纯化工艺优化,在前期单因素试验基础上,CHO细胞表达的IgG1型单克隆抗体细胞培养上清液经亲和层析纯化后,采用中心复合表面设计(CCF)法优化Capto adhere填料纯化工艺。以收率、纯度、HCP清除率为响应变量,考察pH、电导率、载量3个关键因素对纯化工艺的影响,拟合模型并验证。优化后最佳工艺条件为:pH 7.0,电导率16.4 ms/cm,载量300 mg/ml,在此条件下,收率、纯度和HCP清除率分别可达(90.77±0.77)%、(99.55±0.05)%和(88.93±2.14)%。与预测结果偏差均<5%,模型得到验证。试验结果表明本研究Capto adhere填料工艺优化是有效可行的。 展开更多
关键词 中心复合设计 Capto adhere 抗体纯化
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