汞胁迫对花生幼苗茎和叶亚显微结构的影响

以花生幼苗为材料,透射电子显微镜下观察了0、10、100、1 000、10 000μmol/L浓度的HgCl_(2)对花生幼苗茎和叶亚显微结构的影响。结果表明:当HgCl_(2)浓度为10μmol/L时,茎叶各细胞器不受影响;当HgCl_(2)浓度为100μmol/L时,花生幼苗叶的细胞核、茎叶的叶绿体和线粒体开始出现膜损伤;当HgCl_(2)浓度为1 000μmol/L和10 000μmol/L时,花生幼苗茎和叶细胞膜结构破坏严重,线粒体和叶绿体损伤。随着处理的汞离子浓度的提升,花生幼苗茎叶细胞内各细胞器都呈现出明显的损伤,但耐受性略有不同。