柔性螺旋电感的射频特性分析及建模表征

介绍了基于低成本塑料基体的柔性螺旋电感的制造工艺、射频特性分析及建模表征。柔性电感与传统的硅基体的螺旋电感性能相比性能更具有优势,电感值为6.2nH的柔性电感的Q值最大值为14.2,自振频率达到了9.2GHz。并提出了表征柔性平面螺旋电感的等效电路模型,模型仿真数据与实验数据取得了一致性。最后通过模型参数的仿真分析提出了优化柔性电感性能的方案。该研究为柔性电感的设计与应用提供了指导依据。

一种X波段低插损5位数控衰减器设计

该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B.

浅析我国TD-LTE的现状与发展

本文阐述了LTE的含义,由我国主导制定的TD-LTE成为国际标准。我国的TD-LTE技术具有独自的特色,但也存着许多不足,如何完善和部署TD-LTE是当前所面临的问题。因此,在未来TD-LTE建设中,我们应认清自己的优势与不足,认清国家当前的形式和特点,为实现TD-LTE的不断完善和部署而努力。