1Mbit汉字ROM设计和分析

本文描述一种专用于汉字字符发生器的1Mbit ROM的设计。文中对各部分电路设计作了详细的分析,指出设计中的特点。对研制成功的样品进行交、直流特性测试,结果表明电路性能完全达到设计和使用的要求。

MOS随机存贮器(RAM)的发展动向

一、256K-DRAM是现发展阶段完成的标志RAM是计算机的关键组成部件,随着计算机向智能化发展,对RAM的需求将成百倍地增长。因此,对RAM的开发研究成为国际上半导体企业界的竞争焦点,发展十分迅速。过去十年,RAM的单片集成度以每二年四倍速度提高,而由于光刻线条越来越细,因而芯片尺寸每二年只增加1.4倍。下表为从77年至83年DRAM及SRAM的进展概况。

NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.

BiCMOS比较器宏单元

本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得到最高采样时钟频率为60MHz.(C_L=5pF).在与同类全 CMOS比较器比较中充分显示了 BiCMOS结构的优越性.

集成电路智能卡──—种新型的信息处理工具

简单介绍了什么是智能卡，并回顾了智能卡产生的历史，着重讨论了智能卡的四大基本功能：信息存储、身份鉴别、数字签名和文电加密，在此基础上介绍了智能卡的一些主要应用，指出了未来智能卡的发展方向。

一种用于公钥密码系统的新型可变Radix快速乘法硬件算法

本文提出了一种新型的可变ｒａｄｉｘ快速乘法硬件算法，算法中，采用了二进制数的冗余数表示方法，使二个大数（大到５１２ｂｉｔ位或更大）的相加在Ｏ（１）时间内完成而无需等待进位；其次，提出了可变ｒａｄｉｘ快速乘法思想，使算法比ｒａｄｉｘ－４的乘法算法速度提高３３％，比ｒａｄｉｘ－８的乘法算法速度提高１１％而硬件实现更为简单，算法还能克服在较坏和最坏条件下，ｒａｄｉｘ－８乘法算法速度严重下降的缺陷，是一种可以作为核心运算有效地使用在许多公钥密码体制（如ＲＳＡ）硬件ＶＬＳＩ实现中的新型快速算法。

一种新型的FFT地址发生器集成电路的设计

本文通过对ＦＦＴ计算流图的分析，得到了ＦＦＴ计算过程中连续参加蝶形运算的结点数据和三角常数ＷＮＫ的地址产生规律，并总结出逻辑表达式．在此基础上设计了一种新型的ＦＦＴ地址发生器．与传统设计方法相比，减少了晶体管数量，提高了速度，经逻辑模拟验证了设计上的正确性．由电路模拟可知，采用２μＣＭＯＳ工艺制作时，可达到５０ＭＨＺ的工作频率．

一种高效地实现运动估计算法的VLSI结构

本文提出了一种全新的低延滞、高吞吐率、可编程的ＶＬＳＩ树型结构，它能十分有效地实现ＦＳＡ和ＴＳＳＡ运动估计算法，该结构比其它树型结构少１／３的处理单元（ＰＥ），而且ＰＥ单元的延时减少一半。独特的ＭＥ窗缓冲结构使Ｉ／Ｏ带宽和Ｉ／Ｏ管脚大大减小，交叉流水线技术使硬件利用率可达到１００％，这些特点使得该结构适合ＶＬＳＩ实现。

小波变换的电路集成

小波变换是信号分析和处理中的重要方法．本文设计了一种实现小波变换的集成电路．它充分利用了算法本身的特点，采用电路复用的方法，节省了电路单元的需要量，并且，采用并行和流水线的电路结构，使得工作速度较快．平均每个时钟周期内输出一个小波变换结果．时钟的频率由加法器延时决定．电路得到了ＶＨＤＬ（硬件描述语言）的模拟和验证．

一种新的用于图象处理的存储系统

本文介绍了一种新的图象存储系统，它支持对图象矩阵的任意位置进行ｐ×ｑ块方式存取，该图象存储系统具有ｐｑ个存储模块，采用新提出的存储模块分配函数和地址分配函数。其地址计算电路极其简单，仅含３个加法器和ｐｑ个４：１多路器，能够同时为ｐｑ个存储模块计算地址；数据分布电路只有一个，用来完成读出和写入时数据在数据寄存器和存储模块之间的分布。与同类存储系统比较，该存储系统高效、简单。

数字系统硬件结构自动综合中的资源分配技术

硬件资源分配是数字系统硬件自动综合中的关键技术之一．本文提出了一个基于最佳匹配理论的资源分配算法（ＯＭＲＡ）．其特点①三类硬件资源（功能单元、存储单元和互联资源）的分配同时进行，从而便于资源间的统筹考虑以获得硬件资源总开销最小的设计方案．②对工艺变化具备适应能力：工艺资源库发生变化，资源分配过程中将自动调整以保证产生在新的工艺环境下最佳的硬件结构设计．

高速BiCMOS技术

本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。

CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.

与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法

本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,不用数值和曲线拟合参数的方法就能得到处于任何注入水平的本征收集极电流I_c和跨导g_(??)。该方法为在设计高精度的CMOS模拟IC中利用横向双极器件提供了良好的CAD器件模型。模型值和实验值呈现良好的一致性。

一种采用改进Domino加法器的高速流水线乘法器

乘法器是数字信号处理系统中的关键。流水线乘法器可以以较小的代价获得较高的平均速度。本文给出了流水线乘法器的结构;提出了两种改进型Domino加法器电路;对改进型电路作了分析和模拟。模拟结果表明,采用新的改进型Domino电路后,流水线乘法器的速度可以显著提高。

雷达动目标检测（MTD）专用集成电路的设计

本文设计出一种用于雷达数字信号处理的动目标检测（ＭＴＤ）专用集成电路．该电路采用有限冲激响应（ＦＩＲ）滤波器结构，并配以乒乓存储器及流水线乘法器，具有运算速度快、结构简单等优点．经逻辑和电路模拟，证明该电路具有良好性能．

实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究

本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

实用于电路模拟的小尺寸MOSFET新简化模型

本文介绍了一个新的简单且比较精确的半经验型小尺寸MOS管模型。在此模型中,表面沟型管与埋沟型管分别予以考虑,同时对各种小尺寸效应进行了适当的修正。模型公式中引入的各参数均具有明确的物理意义,使得此模型公式可用于对沟道尺寸为1μm以上的由CMOS工艺制造的单管或集成电路的电学特性模拟,其结果与实验很好地吻合。