光电隔离线性放大器的设计

文章介绍了一种基于光电闭环负反馈技术的光电隔离线性放大器,对其进行了理论分析,提出了其高线性传输的设计方法,并通过实验进行验证,实现了全温度范围内信号的高线性隔离传输,最后介绍了其发展趋势。

四谱段TDICCD图像传感器的设计与制作

设计并研制了一种四谱段时间延迟积分电荷耦合器件(TDICCD)图像传感器,器件将四个TDICCD集成在同一芯片上,通过在光窗对应位置上镀不同的窄带滤光膜实现多谱段分光。该TDICCD图像传感器的像元尺寸为28μm×28μm,水平寄存器的有效像元数为3072元,行频为10 kHz,电荷转移效率高达0.99999,饱和输出电压为2650 mV,抗弥散能力大于等于100倍,动态范围为7143∶1。

反射式小体积线性光电耦合器设计

文章介绍了一种反射式小体积线性光电耦合器,对其进行了理论分析,提出了反射式高线性隔离传输的设计方法,并制作样品进行了验证,实现了全温度范围内信号的高线性隔离传输。

一种四通道贴片式高速光电耦合器

研制了一种新型的四通道贴片式高速光电耦合器。介绍了该光电耦合器的结构、工作原理、参数设计、特点和参数曲线,并简述了其制作工艺。设计中采用独立腔体分隔技术,将四条光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间相互干扰。该光电耦合器采用SOIC-16金属陶瓷管壳气密性封装,具有工作速度快、功耗低和体积小的特点。

22kV高压隔离光电耦合器的研制

针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题,提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法,利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低,使探测器接收到足够的光功率,以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算,结果表明,使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性,通过样品的制作与测试验证了该计算结果,表明上述方法可行。

多象限光探测器组件研究

介绍了多象限探测器光敏面的设计,讨论了简易制导用多象限光探测器组件的特点。设计了一种新型九象限探测器及其组件,结果表明该器件具有响应速度快、抗冲击能力强等特点。

光电线性隔离放大器的电离辐照特性

阐述了线性隔离放大器(线性光电耦合器)的工作原理,设计了线性隔离放大器的电离辐照试验,研究了线性隔离放大器的电离辐照效应,针对其结果进行了机理分析。

光MOS固体继电器抗电离辐射研究

分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad(Si),能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。

低漏电常闭型光电隔离开关设计

研制了一种新型的低漏电常闭型光电隔离开关。介绍了该光电隔离开关的工作原理、参数设计。通过特别的结构设计实现了对微小漏电流的控制,并对其进行了工艺改进,提高了器件可靠性。器件测试结果显示,参数指标达到设计值,从而验证了设计的有效性。

基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统的设计

设计并实现了一种基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统。该系统以120元Si-PIN探测器作为光电传感器,将其排列为正方形,由120路光电转换电路将每个光电传感器采集到的电流信号转换为电压信号并与预先设置的阈值电平进行比较,以判断该点探测器是否探测到光信号,在CPLD时序控制下将每个探测器的响应情况通过数据采集电路实时传送至上位机。将探测器阵列组件放置在指定位置,通过调节光源位置直至上位机反映的图像为对准后的形式,由此实现光斑辅助定位。经测试表明,该系统能实现240mm×240mm大面积、精度2mm的光斑位置实时探测和辅助定位,且相对传统方式更加简单可行。

高速率通信用线列探测器芯片设计

阐述一款高速率阵列探测器芯片的设计,通过调整AGaAs材料中Al组分的占比,实现对芯片响应介质波长的调节,完成830~870nm谱响应范围的芯片设计。针对高速率应用,采用了台面结构设计,有效缩短载流子输运时间,利用多层DBR反射结构,指定波长范围内的反射率高达95%以上,单通道最高速率超过10GHz,峰值响应度≥0.50A/W,芯片响应度满足实际应用要求。