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影响WSi_x与GaAs接触特性的因素
1
作者
李晓明
史常忻
忻尚衡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期186-189,共4页
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主...
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的.
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关键词
WSIX
GAAS
接触特性
肖特基势垒
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职称材料
Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
2
作者
吴鼎芬
杨悦非
+2 位作者
季良赳
忻尚衡
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987年第2期176-182,共7页
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型...
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。
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关键词
双栅
增强型
电子气
MESFET
TEGFET
GA
x)Al_xAs/GaAs
晶体管
半导体三极管
夹断电压
异质结构
二维
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职称材料
题名
影响WSi_x与GaAs接触特性的因素
1
作者
李晓明
史常忻
忻尚衡
机构
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期186-189,共4页
文摘
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的.
关键词
WSIX
GAAS
接触特性
肖特基势垒
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
2
作者
吴鼎芬
杨悦非
季良赳
忻尚衡
史常忻
机构
中国科学院上海冶金研究所
上海交通大学应用物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987年第2期176-182,共7页
文摘
制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。
关键词
双栅
增强型
电子气
MESFET
TEGFET
GA
x)Al_xAs/GaAs
晶体管
半导体三极管
夹断电压
异质结构
二维
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
影响WSi_x与GaAs接触特性的因素
李晓明
史常忻
忻尚衡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
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职称材料
2
Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)
吴鼎芬
杨悦非
季良赳
忻尚衡
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987
0
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职称材料
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