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14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
1
作者
史柱
王斌
+3 位作者
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期3335-3342,共8页
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓...
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。
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关键词
鳍式场效应晶体管
单粒子瞬态
器件
辐射加固
工艺
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职称材料
题名
14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
1
作者
史柱
王斌
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
机构
西安微电子技术研究所
抗辐射集成电路国防科技重点实验室
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期3335-3342,共8页
基金
国家科技重大专项(2020002-047)。
文摘
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。
关键词
鳍式场效应晶体管
单粒子瞬态
器件
辐射加固
工艺
Keywords
fin field-effect transistor
single-event transient
device
radiation hardening
process
分类号
V216.51 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
14 nm pFinFET 器件抗单粒子辐射的加固方法
史柱
王斌
杨博
赵雁鹏
惠思源
刘文平
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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