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肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析
被引量:
3
1
作者
陈明华
成巨华
《微电子技术》
1999年第4期35-39,共5页
本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属(或合金)的元素、厚度及合金的成份比等。为研制SBD管器件提供了参考。
关键词
肖特基二极管
表面势垒
费米能级
下载PDF
职称材料
铝—电极孔界面接触电阻大的分析
2
作者
陈明华
范捷
+1 位作者
王继华
成巨华
《微电子技术》
1995年第2期42-48,共7页
关键词
铝-电极孔界面
接触电阻
分析
扫描俄歇微探针
下载PDF
职称材料
氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究
3
作者
陈明华
成巨华
王继华
《微电子技术》
1996年第6期40-44,共5页
本文讨论了扫描俄歇微探针(SAM)的绝缘介质膜分析,重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果,通过多种方法消除电荷积累效应,克服SAM仪器本身的局限,取得了满意的分析结果。
关键词
氮化硅
绝缘介质膜
SAM分析
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职称材料
题名
肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析
被引量:
3
1
作者
陈明华
成巨华
机构
中国华晶电子集团公司技术支援中心
出处
《微电子技术》
1999年第4期35-39,共5页
文摘
本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属(或合金)的元素、厚度及合金的成份比等。为研制SBD管器件提供了参考。
关键词
肖特基二极管
表面势垒
费米能级
Keywords
Schottky Barrier Diode
Surface barrier
Fermi-level
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
铝—电极孔界面接触电阻大的分析
2
作者
陈明华
范捷
王继华
成巨华
机构
中国华晶电子集团公司技术支援中心
出处
《微电子技术》
1995年第2期42-48,共7页
关键词
铝-电极孔界面
接触电阻
分析
扫描俄歇微探针
分类号
TH838.201 [机械工程—精密仪器及机械]
下载PDF
职称材料
题名
氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究
3
作者
陈明华
成巨华
王继华
机构
中国华晶电子集团公司技术支援中心
出处
《微电子技术》
1996年第6期40-44,共5页
文摘
本文讨论了扫描俄歇微探针(SAM)的绝缘介质膜分析,重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果,通过多种方法消除电荷积累效应,克服SAM仪器本身的局限,取得了满意的分析结果。
关键词
氮化硅
绝缘介质膜
SAM分析
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析
陈明华
成巨华
《微电子技术》
1999
3
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职称材料
2
铝—电极孔界面接触电阻大的分析
陈明华
范捷
王继华
成巨华
《微电子技术》
1995
0
下载PDF
职称材料
3
氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究
陈明华
成巨华
王继华
《微电子技术》
1996
0
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职称材料
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