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肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析 被引量:3
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作者 陈明华 成巨华 《微电子技术》 1999年第4期35-39,共5页
本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属(或合金)的元素、厚度及合金的成份比等。为研制SBD管器件提供了参考。
关键词 肖特基二极管 表面势垒 费米能级
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铝—电极孔界面接触电阻大的分析
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作者 陈明华 范捷 +1 位作者 王继华 成巨华 《微电子技术》 1995年第2期42-48,共7页
关键词 铝-电极孔界面 接触电阻 分析 扫描俄歇微探针
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氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究
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作者 陈明华 成巨华 王继华 《微电子技术》 1996年第6期40-44,共5页
本文讨论了扫描俄歇微探针(SAM)的绝缘介质膜分析,重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果,通过多种方法消除电荷积累效应,克服SAM仪器本身的局限,取得了满意的分析结果。
关键词 氮化硅 绝缘介质膜 SAM分析
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