采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层

美国电报电话公司贝尔实验室的研究人员研究了一种采用四乙氧基硅烷(TEOS)定向淀积硅氧化层的工艺。先前的研究显示,硅氧化层的台阶复盖随O_2:TEOS气体流量比而变化,在传统的富氧条件下不可能进行定向淀积。在上个月在加州圣克拉腊召开的VLSI多层互连会议上,他们报道了通过控制淀积的化学过程进行定向淀积的最新研究成果。

第37届国际固体电路年会述评——模拟电路简介

第37届国际固体电路年会于今年2月14日至16日在美国加州的旧金山市举行。这次会议同以往各次年会一样,不仅是下一代集成电路设计和工艺的有关信息的来源,还是半导体技术现状水平的晴雨表。今年的年会上提出了许多颇有新意的研完成果,还有不少国际领先的创纪录成果。集成电路继续向小、密、快、廉方向发展,所谓的“基本极限”已不断后退。 年会收到技术论文约有一半来自美国以外的国家,主要是日本和欧洲。会议组织了各种专题讨论会,涉及的题目有RAM、高清晰度电视,神经网络、专利、运放、ISDN、转换器、VLSI和UISI器件等。 本文根据Electronic Design的有关报导,简要介绍模拟集成电路的有关情况。

IC先导开发向批量生产的技术转移

硅片加工工艺从研究小组转移到批量生产阶段,必须按几条指导原则来计划进行。