Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。

Ka频段低噪声HEMT放大器

Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ...