三种糖类物质的热降解动力学研究

以TGA为手段,研究了壳聚糖、β-环糊精、淀粉在氮气环境下的非等温热降解动力学,采用Owaza和Friedman方法,计算了三种物质的降解动力学活化能,并使用Coats-Redfern法计算了三种物质的反应机理函数和指前因子.结果表明:壳聚糖、β-环糊精、淀粉降解活化能分别是147.1,129.1和148.3 kJ/mol,机理函数是-ln(1-α),[-ln(1-α)]2/5和[-ln(1-α)]1/2;lnA为7.783 8,8.649 9和7.868 8 min-1.

八甲基环四硅氧烷一氯代物微乳液聚合及其消泡性能

采用偏光显微镜研究了八甲基环四硅氧烷一氯代物(D4Cl)/十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)/乙二醇/水4组分微乳液的相行为,绘制了该体系在80℃下的拟三元相图;采用粒度分析研究了八甲基环四硅氧烷一氯代物在上述体系中的微乳液聚合成核机理,对其微乳液在水体系中的消泡性能进行了研究。结果表明,该微乳聚合主要发生在水相,体系中的环单体微滴主要提供开环的端羟基硅氧烷的齐聚物;氯甲基的引入增大了硅氧烷的极性,从而增加了微乳液的消泡性能。

卤代硅烷(R_3SiX)与NR′_3形成五配位硅化合物的加成反应

对R_3SiX(R=H、CH_3;X=F、Cl、Br、I)与NR3′(R′=H、CH_3)的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP/6-31g(d,p)基组下(X原子采用cep-121g基组)进行了两种加成方式的研究.一种是NR′3沿Si—X键轴向位置的加成,另一种是NR3′沿Si—X键侧向接近的加成.计算结果表明,前者更稳定且更容易形成加成物;Si上斥电子基团不利于Si—N键的形成,而N上斥电子基团则有利于Si—N键的形成;NH3-H3SiX系列和N(CH3)3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成,NH3-H2(CH3)SiX系列仅能沿Si—X键轴向进行加成,而NH3-H(CH3)2SiX和NH3-(CH3)3SiX系列两种方式都不能进行加成;在同系列加成产物中,以X=Cl时所得加成物最稳定.讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响,并对H3SiX(X=F、Cl、Br、I)与NH3及N(CH3)3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论.

一氯代八甲基环四硅氧烷阳离子聚合动力学

合成了八甲基环四硅氧烷的一氯取代物,并以其为单体,98%浓硫酸为催化剂,采用称重法研究了一氯代八甲基环四硅氧烷阳离子开环的本体聚合动力学,探讨了温度,催化剂浓度对其聚合速率常数的影响.研究表明:温度,催化剂浓度对一氯代八甲基环四硅氧烷的聚合速率有显著影响,其聚合活化能是40.37kJ.mol-1;与八甲基环四硅氧烷阳离子开环聚合相比,氯代甲基使硅氧烷的开环聚合速率减慢,聚合活化能升高.