PIN二极管热效应研究

为了研究了PIN二极管电热学效应,通过T-CAD软件建立PIN二极管的电热学模型,模拟了PIN二极管的瞬态特性。研究了PIN二极管器件脉冲电压下的电热特性,分析了PIN二极管的载流子浓度与温度的关系,模拟得到了不同载流子浓度下与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着载流子浓度增大,器件内部温度增长越快,器件达到失效状态的时间越短。

GaAs PIN二极管电热特性

通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型,模拟了PIN二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着I层厚度的增加,器件内部最高温度增长减慢,器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间位置移动。

半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。