CdTe量子点-双硫腙荧光开关测定铜

CdTe量子点表面包覆双硫腙,由于双硫腙与CdTe量子点之间发生荧光共振能量转移使得CdTe量子点荧光猝灭,铜的加入与双硫腙形成双齿螯合物,使得CdTe量子点荧光能量转移被阻止,CdTe量子点荧光强度得以恢复,由此建立了一种荧光开关测定痕量铜的新方法。在最佳条件下,0.5mL双硫腙@CdTe量子点(Dit@CdTe),1.5mL pH 7.5的Tris-HCl缓冲溶液中加入不同浓度的Cu2+,放置10min,于激发波长/发射波长为431nm/591nm下进行荧光测定,荧光增强强度与Cu2+浓度在0.01～10.0μmol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.990 3,检出限为0.004μmol/L。方法用于实际水样中铜的测定,相对标准偏差小于6.8%,回收率在97%～105%之间,并且测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定结果一致。