期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
1
作者
肖正琼
戴昊光
+2 位作者
刘欣扬
陈平平
查访星
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期300-304,共5页
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显...
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。
展开更多
关键词
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
HGCDTE
针尖诱导能带弯曲
下载PDF
职称材料
InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释
2
作者
戴昊光
查访星
陈平平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第19期146-153,共8页
本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流-电压(I-V)隧道谱呈现与衬底InP(110)面完全不同特点.InP的I-V谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观...
本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流-电压(I-V)隧道谱呈现与衬底InP(110)面完全不同特点.InP的I-V谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)接近材料带隙,可基于平带模型解释.In_(0.53)Ga_(0.47)As的表观带隙却比其带隙(室温0.74 eV)高出约50%.这反映了针尖与InGaAs发生隧穿时的不同物理图像,需应用针尖诱导能带弯曲(TIBB)模型来解释.基于三维TIBB模型的计算,我们发现表面态密度是对隧道谱线特征具有敏感影响的参数.适当选取参数不仅能定量解释InGaAs的I-V谱的零电流平台宽度,而且能较准确预言零电流平台的起、止能量位置,并能计算给出与实验高度重合的I-V理论谱线.
展开更多
关键词
半导体表面
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
针尖诱导能带弯曲
下载PDF
职称材料
题名
Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
1
作者
肖正琼
戴昊光
刘欣扬
陈平平
查访星
机构
上海大学理学院物理系
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期300-304,共5页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874069)。
文摘
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。
关键词
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
HGCDTE
针尖诱导能带弯曲
Keywords
scanning tunneling microscopy
scanning tunneling spectroscopy
HgCdTe
tip-induced band bending
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释
2
作者
戴昊光
查访星
陈平平
机构
上海大学物理系
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第19期146-153,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:61474073,61874069)资助的课题。
文摘
本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流-电压(I-V)隧道谱呈现与衬底InP(110)面完全不同特点.InP的I-V谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)接近材料带隙,可基于平带模型解释.In_(0.53)Ga_(0.47)As的表观带隙却比其带隙(室温0.74 eV)高出约50%.这反映了针尖与InGaAs发生隧穿时的不同物理图像,需应用针尖诱导能带弯曲(TIBB)模型来解释.基于三维TIBB模型的计算,我们发现表面态密度是对隧道谱线特征具有敏感影响的参数.适当选取参数不仅能定量解释InGaAs的I-V谱的零电流平台宽度,而且能较准确预言零电流平台的起、止能量位置,并能计算给出与实验高度重合的I-V理论谱线.
关键词
半导体表面
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
针尖诱导能带弯曲
Keywords
semiconductor surface
scanning tunneling microscopy
scanning tunneling spectroscopy
tip-induced band bending
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
肖正琼
戴昊光
刘欣扬
陈平平
查访星
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释
戴昊光
查访星
陈平平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部