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Ka频段GaAs单片平衡混频器 被引量：1
1
作者 江关辉 孙柏根 +2 位作者 高葆薪 孙迎新 戴沛然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期381-382,共2页
Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥... Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ... 展开更多
关键词 KA频段 单片混频器 平衡混频器 混频器
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质子注入等平面GaAs梁式引线混频管
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作者 戴沛然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期353-357,共5页
本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,选定合适能量及剂量的多能量叠加质子注入条件,得到较为满意的实验结果,制成的样管在8mm波段测得的变频损... 本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,选定合适能量及剂量的多能量叠加质子注入条件,得到较为满意的实验结果,制成的样管在8mm波段测得的变频损耗Lc=5～5.5dB. 展开更多
关键词 混频管 染式引线 质子注入 GAAS
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