期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
延续摩尔定律的新材料——应变Si
被引量:
4
1
作者
任冬玲
张鹤鸣
+2 位作者
舒斌
户秋瑾
宋建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期650-652,共3页
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应...
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。
展开更多
关键词
应变SI
应力引入
衬底致双轴应变
工艺致单轴应变
下载PDF
职称材料
题名
延续摩尔定律的新材料——应变Si
被引量:
4
1
作者
任冬玲
张鹤鸣
舒斌
户秋瑾
宋建军
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期650-652,共3页
文摘
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。
关键词
应变SI
应力引入
衬底致双轴应变
工艺致单轴应变
Keywords
strained Si
introduced stress
substrate-induced biaxial stress
process-induced uniaxial stress
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
延续摩尔定律的新材料——应变Si
任冬玲
张鹤鸣
舒斌
户秋瑾
宋建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部