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Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
1
作者
郭可飞
尹飞
+8 位作者
刘立宇
乔凯
李鸣
汪韬
房梦岩
吉超
屈有山
田进寿
王兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期184-194,共11页
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研...
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研究发现,当深扩散深度为2.3μm固定值时,浅扩散深度存在对应最佳目标值。浅扩散深度越深,相同过偏压条件下倍增区中心雪崩击穿概率越大,电场强度也会随之增加。当两次Zn扩散深度差小于0.6μm时,会发生倍增区外的非理想击穿,导致器件的暗计数增大。Zn扩散横向扩散因子越大,倍增区中心部分雪崩击穿概率越大,而倍增区边缘雪崩击穿概率会越小。在扩散深度不变的情况下,浅扩散Zn掺杂浓度对雪崩击穿概率无明显影响,但深扩散Zn掺杂浓度越高,相同过偏压条件下雪崩击穿概率越小。本文研究可为设计和研制高探测效率、低暗计数InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管提供参考。
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关键词
雪崩光电二极管
INGAAS/INP
ZN扩散
单光子探测
雪崩击穿概率
下载PDF
职称材料
题名
Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
1
作者
郭可飞
尹飞
刘立宇
乔凯
李鸣
汪韬
房梦岩
吉超
屈有山
田进寿
王兴
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期184-194,共11页
基金
国家自然科学基金(No.62075236)
中国科学院青年创新促进会(No.2020397)
陕西省青年科技新星(No.2021SR5061)。
文摘
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研究发现,当深扩散深度为2.3μm固定值时,浅扩散深度存在对应最佳目标值。浅扩散深度越深,相同过偏压条件下倍增区中心雪崩击穿概率越大,电场强度也会随之增加。当两次Zn扩散深度差小于0.6μm时,会发生倍增区外的非理想击穿,导致器件的暗计数增大。Zn扩散横向扩散因子越大,倍增区中心部分雪崩击穿概率越大,而倍增区边缘雪崩击穿概率会越小。在扩散深度不变的情况下,浅扩散Zn掺杂浓度对雪崩击穿概率无明显影响,但深扩散Zn掺杂浓度越高,相同过偏压条件下雪崩击穿概率越小。本文研究可为设计和研制高探测效率、低暗计数InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管提供参考。
关键词
雪崩光电二极管
INGAAS/INP
ZN扩散
单光子探测
雪崩击穿概率
Keywords
Avalanche photodiodes
InGaAs/InP
Zn diffusion
Single photon detection
Avalanche breakdown probability
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
郭可飞
尹飞
刘立宇
乔凯
李鸣
汪韬
房梦岩
吉超
屈有山
田进寿
王兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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