铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用

用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹．用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布．结果表明，裂纹处铟含量极低，锡含量极高，而氧含量低于配比含量，这与Ｉｎ２Ｏ３ 和ＳｎＯ２ 在高温下不同的分解行为有关；粉末经高温煅烧预处理后，进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到９８ ％ 以上，且裂纹大大减少．

铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究

用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约 １０００℃处有一峰值；相对密度随压力增加而增加；当保温温度较低时，适当延长保温时间有利于提高密度；当保温温度较高时，延长保温时间反而使密度降低。分析了 ＩＴＯ在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ＩＴＯ复合粉末部分脱氧使ＩＴＯ陶瓷半导化的机理。

ITO靶材热等静压致密化工艺研究

用化学共沉淀法制备的ITO复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化,热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压主要工艺参数对ITO陶瓷靶材致密化的影响,实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用,还解释了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。

硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

硫化锌掺杂二氧化硅(以下简用ZnS+SiO2表示)靶材主要用于CD-RW,DVD-RAM光盘,它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜,以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响。靶材的密度越高,溅射形成的膜的质量越好。ZnS+SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得,本实验采用真空热压工艺对ZnS+SiO2靶材致密化进行了研究,分析了主要热压工艺参数对ZnS+SiO2靶材密度的影响。最适宜的热压温度为1250℃,压力为36MPa,时间为3h,采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99.2%。

水热合成纳米SnO_2的制备与表征

以四氯化锡和氨水作为原料,采用水热合成法制备SnO2纳米粉体。探讨反应溶液浓度、水热合成温度、水热合成时间和初始溶液p H值对纳米SnO2粉体性能及形貌的影响规律,并确定最佳工艺参数,同时对水热合成过程中出现的SnO2纳米棒异常现象进行初步分析。结果表明：采用水热合成法制备的SnO2纳米粉体均为四方晶系金红石型结构,粉末粒径为5~12 nm,呈近球形。在反应溶液浓度0.5~2.0 mol/L条件下,随反应溶液浓度升高,制备的粉体晶粒平均粒径呈线性增长;在水热合成温度160~220℃范围内,随温度升高,SnO2粉体的平均粒径从5.1 nm增大到9.8 nm,在200℃时会出现降低;在水热合成时间6~30 h条件下,随反应时间延长,SnO2粉体的平均粒径增大,在20 h时降低;随溶液p H值升高,制备的粉体晶粒平均粒径减小。在1.0 mol/L、p H值10的反应溶液中,在200℃保温20 h的工艺条件下进行水热合成反应,所制备的粉体平均粒径为5.5~8.5 nm,粉体均匀性和分散性良好。

纳米氧化锡粉体的制备及表征

以SnCl4.5H2O和NH3.H2O为原料,采用水热合成法制备出了粒度均匀的超细SnO2粉体。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD),研究了纳米氧化锡粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。SnO2颗粒平均粒径在10～20 nm左右,呈不规则多面体,近似于球形,粒径分布窄,分散性良好。

高纯钽溅射靶材制备工艺进展

目前高纯钽溅射靶材的制备方法,主要为熔炼铸锭法和粉末冶金法,文章对两种方法制备钽靶材性能的特点进行了详述,同时对粉末冶金法制备高纯钽靶材的试验结果进行分析。针对目前国内外生产状况,展望了未来高纯钽溅射靶材的发展方向。

ZnS靶材热学和力学性能测试研究

介绍了用激光脉冲法对热压Z nS(硫化锌)靶材的比热容、热导率测试和ZnS靶材线膨胀系数、抗弯强度测试方法的研究.试验证明:热压ZnS靶材有较好的热导率,在C D-R W(可读写光盘)的上下介电层应用上为记录层提供了很好的散热效果;ZnS靶材的线膨胀系数较低,有很好的尺寸稳定性;ZnS靶材有一定抗弯强度.

影响大尺寸ITO靶材冷压质量的因素

对冷压大尺寸ITO靶材毛坯出现的靶材质量问题进行详细分析。实验表明:选用质量比为9∶1的In_2O_3与SnO_2粉末。将粉末配成固含量65%的溶液,添加ITO粉末质量的2%～3%的PVA粘结剂及2.5%的分散剂(活性剂)及稳定剂等,通过球磨,喷雾制粉,使粉末的含水量达到6%,过150目筛的粉末。采用改进模具、分段加压的冷压工艺,在冷压压力50～60MPa下,冷压大尺寸ITO靶材,可有效消除靶材毛坯掉边、分层及断裂等质量问题。

热压氧化铌靶材内部孔洞的形成及研究

利用真空热压设备研究氧化铌靶材孔洞形成的原因,结果发现粉末性能、烧结温度和保温时间、烧结压力等对靶材成型中孔洞产生影响,粉末性能中松装密度的提高、在一定范围内提高烧结温度和保温时间、在一定范围内提高烧结压力,有利于靶坯成型,减少靶坯中孔洞数量。实验结果表明:粉末松装密度为1.15-1.35g/cm3、保温温度在1250-1350℃时,保温时间为8h、压力为11-13MPa之间、升温速率为3.5-5.5℃/min时,将会获得较好的成型靶坯,孔洞数量相对最少。

基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。