10纳米鳍式晶体管架构FinFET工艺

FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),鳍式场效应晶体管是闸极长度缩小到20纳米以下的关键,拥有这个技术的制程与专利,才能确保未来在半导体市场上的竞争力,这也是让许多国际大厂趋之若骛的主因。创新半导体架构和制造工艺才是关键。

从纳米制程看晶圆代工之争

芯片的加工技术从传统的平面晶体管发展到立体晶体管,14/16nm技术使得芯片中的标准单元更小,增强运算效率、降低耗电量以满足轻薄的移动需求。未来将进入10nm技术时代,商业竞争将带来更加省电、轻薄的手机,这要感谢摩尔定律所带来的好处。

从联发科立锜并购案看模拟IC和数字IC厂的差异

全球手机芯片大厂联发科、台湾模拟IC龙头大厂立锜科技共同宣布联发科将收购立锜科技,并预计于2016年完成100%持股,一家是台湾最大的数字IC设计公司,一家是台湾最大的模拟IC设计公司,这样的合并案透露了IC设计界重要的信息。