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IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
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作者 拉尔夫.安纳克 赖茵哈特.赫茨 《变频器世界》 2007年第7期52-54,共3页
本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT^4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS~模块所带来的性能提升。
关键词 IGBT^4 CAL^4二极管 SEMITRANS模块 变频器
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IGBT4技术提高了应用性能
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作者 拉尔夫.安纳克 赖茵哈特.赫茨 《电源世界》 2007年第7期52-54,共3页
1引言在日益增长的变频器市场,许多厂商提供了性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米(当前模块的标准尺寸)模块中使用新IGBT技术,使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益。
关键词 IGBT技术 性能 应用 标准尺寸 开关频率 设计概念 变频器 变换器
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