静电喷涂制备抗菌夹心净化材料及其抗菌性能

为解决净化过滤用静电纺纤维在使用过程中容易受到微生物和残留有机物二次污染的问题,将电纺尼龙6(PA6)纤维、玻璃纤维与涂覆硅凝胶的工业滤布热压成型,采用静电喷涂技术将纳米TiO2沉积于净化材料的表面,制备出具有良好抗菌性能的夹心净化材料。扫描电镜(SEM)测试表明,喷涂的TiO2负载于纳米纤维的表面;X射线衍射(XRD)测试表明,喷涂后的纳米TiO2的晶型(锐钛型)未发生改变;抗菌测试结果表明,材料整体的杀菌率可达98.74%。

气流电纺丝基夹心净化材料的制备与表征

纳米TiO2作为一种高效、无毒的光催化剂,在环保领域得到了广泛应用。其应用首先应考虑和解决的就是其有效负载问题。文中采用气流电纺法制备了TiO2/尼龙6(PA6)纳米复合纤维。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线能谱仪(EDX)和热重分析(TG)等技术手段对纤维形貌与结构进行了表征,并采用Shake Flask法对纤维抗菌性能进行了测试。结果表明,气流电纺纤维的平均直径在60 nm～65 nm之间,杀菌率最高可达99.74%。通过热压将此纤维制备成"夹心"式净化材料,其对1μm的PS微球的过滤效率可达99.50%。

负载金属氧化物纳米夹心材料的制备及净化菌性能

采用静电纺丝法制备了负载有不同含量金属氧化物的纳米TiO2/聚己内酰胺(PA6)及纳米TiO2/PA6/Ag纤维,通过扫描电镜(SEM)对纤维进行了表征,纤维直径在50 nm～100 nm之间;讨论了纤维平均直径与溶液黏度及电导率之间的关系;实验选用霉菌作为测试菌种,采用振荡瓶法对纤维进行抗菌性能测试,结果表明,抗菌纤维的杀菌率最高可达99.99%。综合考虑生产工艺难度和杀菌效果,确定最佳的抗菌纤维为2.0%TiO2/PA6/Ag纳米纤维。通过热压将此纤维制备成"夹心"式净化材料,其过滤菌效率可达99.52%。

PVA纳米纤维的水稳定性与夹心净化材料的制备

聚乙烯醇(PVA)的水溶液通过静电纺丝,可以生成直径均匀的纳米纤维,但纤维的水稳定性较差,用于液体过滤时一般需进行预处理。文中采用热处理的方法提高PVA纳米纤维的水稳定性。测试结果表明,热处理后的PVA纳米纤维结晶度有所增加;在150℃热处理10min后纤维的结晶度最大,增加了12%。处理后的纤维在水中不溶解,只发生凝集和膨胀。通过热压技术将PVA纳米纤维制成夹心净化材料,当纤维密度为5g/m2时,该夹心材料对粒径1μm的PS微球的过滤效率为95.50±1.83%。

PVA纳米丝基夹心净化材料的结构与过滤性能

研究了纤维面密度不同的夹心材料对不同浊度的聚苯乙烯(PS)微球悬浮液的过滤效率、压力降的变化情况。研究发现,纤维密度为2.5 g/m2时夹心材料的滤性能相对较好,浊度为80NTU时,QF最大为1.713×10-3。通过扫描电镜(SEM)表征了夹心材料的形貌及不同面密度纤维的孔径大小,平均孔径随着面密度的增加而逐渐减小,且过滤效率随着平均孔径的减小而逐渐增加。夹心材料在循环使用5次后,过滤效率及纤维的保留率都下降。

物理法制备微胶囊无机芯相变材料及其表征

采用溶剂挥发法,以聚甲基丙烯酸甲酯为壁材,对CaCl2.6H2O进行包覆制备了微胶囊相变材料。探索溶剂挥发法制备微胶囊的工艺条件,研究了不同乳化机转速,不同乳化剂浓度以及壁材/芯材用量比对微胶囊相变材料性能的影响,并对所制备的微胶囊相变材料进行了红外、DSC和粒径分布的表征。结果表明,在乳化机中等转速,乳化剂Span80用量为1g,芯材壁材质量比约是5∶1的情况下,可以得到粒径79.12μm的微胶囊相变材料,其相变温度为30.35℃,相变焓为65.4713J/g。

熔体静电纺丝及其装置的研究进展

随着纳米材料的不断开发,静电纺丝技术得到了很大发展。熔体静电纺丝因其更佳的环境友好性,受到了人们极大的关注。本文综述了熔体静电纺丝的基本原理和最新进展,详细阐述了最新研发的几种新型熔体静电纺丝装置。

纳米TiO_2自清洁材料的研究进展

由于自洁净材料具有光催化、自清洁、抗菌等功能,人们对光催化自洁净材料的研究日益关注。本文主要概述了纳米二氧化钛自清洁材料的机理及应用,并介绍了国内外自清洁材料的研究现状及发展趋势。

具有潜在亲电性的环氧乙基聚酰胺的制备

合成了反式2,2,2-三氯环氧乙基丁二酸酯并将之与二胺进行缩聚反应。制得的聚酰胺溶于二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)和二甲基乙酰胺(DMAc)等极性溶剂,但在常温下静置一段时间后会变得不溶。缩聚反应结束后,用对甲苯磺酸或乙酰氯对聚酰胺进行保护处理,在常温下,甚至在45℃静置12h以上,聚酰胺都会保持很好的溶解性。该聚酰胺很容易与己二胺反应产生交联聚合物,但在常温下不与三氟化硼乙醚络合物、对苯二酰氯和癸二酸等亲电试剂发生反应。

静电纺丝纳米过滤材料的研究进展

随着人们对环境问题的重视,净化材料得到了进一步发展,尤其是静电纺丝纳米纤维过滤材料更是引起了人们的关注。本文综述了静电纺丝纳米过滤材料的研究发展、应用及发展前景。

TFT-LCD四角发黑Mura的研究与改善

研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比,PVX2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质。

浅议粮油公司节税策划与合理避税

随着市场竞争的加剧,节税策划与合理避税成为了众多企业的必然选择。合理避税是在法律允许的条件下进行的,通过科学谋划,可以使企业达到合理节税的目的。

氮化硅膜层对TFT白点色度均匀性的影响及其改善

基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩余厚度避免低速沉积GI(GL)的残留和降低PVX2膜层厚度以提升面内均一性的改善方案,最终使得产品的TFT WCU均值降低约0.000 7;最大值由改善前的0.007 0降至改善后的0.005 2,满足了最大值≤0.005 5的目标值,改善效果明显。

ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响

HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性。对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30min缩减至10min时,产品的透过率基本保持不变;2nd ITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性,但1st ITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低,其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1st ITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化,而配向膜涂覆后的2nd ITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应。在确保产品高透过率的前提下,选择从源头上减少了1st ITO内亚氧化物的产生,通过增加1st ITO成膜时的氧气流量也可以实现1st ITO退火的直接省略。最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性,最大化地提升了TFT产线的生产效率。

ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20V],下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。

小型微利企业所得税优惠政策分析

随着现代社会经济的快速发展,在市场中出现许多小型微利企业,这些企业对于社会的发展建设同样起到了重要的作用,是社会经济建设中不可或缺的部分。而关于小型微利企业的所得税优惠政策,国家也有相关的明文规定来扶持小型微利企业的发展。本文基于税法视角对小型微利企业所得税优惠政策进行分析。

摩擦配向工艺对HADS产品像素漏光的影响分析

从HADS产品像素漏光现象出发,分析了HADS产品产生像素漏光的主要原因和机理。通过分析发现,HADS产品像素漏光主要是因为摩擦弱区液晶配向角度异常导致的透过率差异产生的。并在此基础提供摩擦方向优化和PS形状优化以减少摩擦弱区对像素漏光的影响。为更好画面品质的HADS产品提供了改善方向。

氮化硅膜层对侧视角白画面色偏的影响及发红改善

研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考。通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白画面色偏的影响规律。结果表明,氮化硅膜层是一个影响色偏量和色偏方向的关键因素,其中栅极绝缘层(GI)和第一钝化绝缘层(PVX1)对色偏的影响较大,而第二钝化绝缘层(PVX2)对色偏的影响较小,氮化硅厚度与白画面侧视角色偏程度呈非线性相关。以某款HADS产品为例,其中氮化硅膜层包括栅极绝缘层(320nm)、第一钝化绝缘层(100 nm)和第二钝化绝缘层(200 nm)。基于单因子实验结果和模拟结果,综合考虑电学特性和产能影响,采用PVX1140 nm作为改善条件,对侧视角白画面发红改善有效,即宏观观察无发红现象且实测数据都满足产品规格。

基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化

HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。

平板显示行业研发项目文件管理的新思路

我国平板显示产业先后经历CRT-LCD-OLED时代,持续积累的经验和技术都在为下一时代奠定基石,而通常概念中的经验和技术等智力成果或知识产权,都将以文件或数据的形式加以传承。随着5G和工业4.0的到来,信息的收集和传播会更加快捷,跨界物联将成为现实,伴随着数据量的暴发性增长,在高频率、高复杂度的产品或技术开发项目中,所产生项目文件也将以指数级增长,其管理难度也不断加大,而目前的管理方式必将左支右绌、疲于应付。本文通过对目前项目文件管理方式的分析,提出更加贴合实际的高效管理新方案。