氮化镓功率器件在宇航电源中的发展与应用

随着航天器功率需求不断增大,对宇航电源的效率提出了更高的要求。第三代宽禁带半导体—氮化镓(GaN)功率器件具有更低的导通损耗、纳秒量级的开关速度等优点,能够使宇航电源的效率得到进一步提高。该文分析了GaN功率器件的结构特性与电气性能优势,针对GaN功率器件在国内外宇航电源中的应用情况进行总结;并提出GaN功率器件以及高频电源在宇航环境中广泛使用面临的关键问题。分析认为GaN功率器件应侧重于单粒子辐照加固以及耐辐照稳定性驱动方案研究,而宇航电源的整体研究则应该关注高频电源集成技术以及散热问题。