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Si掺杂AlN的电子结构和光吸收 被引量:1
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作者 程伟 侯芹英 +2 位作者 苏希玉 支晓芬 司盼盼 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期802-806,共5页
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明:杂质能级位于导带底附近,与Al3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott相变;Si掺杂后在2.02eV附近出现新的吸收峰,从而改善系统在... 基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明:杂质能级位于导带底附近,与Al3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott相变;Si掺杂后在2.02eV附近出现新的吸收峰,从而改善系统在可见光区的吸收特性。 展开更多
关键词 ALN Si掺杂 电子结构 光吸收
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Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:16
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作者 孔祥兰 侯芹英 +2 位作者 苏希玉 齐延华 支晓芬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期4128-4131,共4页
利用第一性原理研究了Ba0.5Sr0.5TiO3的能带结构和光学性质.结果表明,导带和价带都来源于钛原子3d轨道和氧原子2p轨道的杂化.导带主要由钛原子的3d轨道贡献,价带主要由氧原子的2p轨道贡献.吸收系数为105cm-1量级,且吸收主要集中在低能区... 利用第一性原理研究了Ba0.5Sr0.5TiO3的能带结构和光学性质.结果表明,导带和价带都来源于钛原子3d轨道和氧原子2p轨道的杂化.导带主要由钛原子的3d轨道贡献,价带主要由氧原子的2p轨道贡献.吸收系数为105cm-1量级,且吸收主要集中在低能区.折射率为n(0)=2.1,结果与实验符合. 展开更多
关键词 第一性原理 能带结构 光学性质
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First principles study of the Be-C co-doped MgB_2 system
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作者 苏希玉 支晓芬 +2 位作者 侯芹英 程伟 刘佳雪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1-5,共5页
We study the Be-C doped MgB2 system by the first principles method based on density functional theory. The compensation effect between electron type doping and hole type doping is shown in the total density of states ... We study the Be-C doped MgB2 system by the first principles method based on density functional theory. The compensation effect between electron type doping and hole type doping is shown in the total density of states on the Fermi level, the real part of optical conductivity, and the number of effective carriers. The compensation mechanisms are discussed. The critical temperatures for different systems are calculated. 展开更多
关键词 electronic structure optical properties MGB2
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