控制可伐4J29封装外壳氢含量的工艺

针对可伐金属外壳氢含量的控制进行了系统的研究。在氮气氛围中300℃烘烤48h可基本去除基体中的氢。镀后在氮气氛围下250℃烘烤48h,可最终将氢含量控制到0.1%以下,并且外壳金层的可焊性基本不受影响。

TH吸氢材料

为解决密封器件或组件中的氢含量超标的问题,南京电子器件研究所研制出钛基吸氢片,代号为TH。采用低温焊料或者导电胶将TH吸氢片贴附在器件或组件密封腔内,可以降低腔内氢含量并在器件或组件全寿命周期内持续吸收各种释氢源释放的氢,从而保证密封器件或组件性能稳定,不发生氢中毒事件。

带钨铜合金散热底座的可伐合金外壳氢含量控制

针对使用钨铜合金作为底座的可伐金属外壳进行了氢含量控制的研究。采用镀前一次烘烤350℃×48 h和镀后二次烘烤250℃×48 h的方式可将成品内部氢含量控制在0.2%以内。

吸氢材料在微波密封电路壳体中的应用研究

为了控制微波密封电路壳体中的氢含量,降低氢致失效概率,提升电路的可靠性,研究了应用吸氢材料吸收电路封装内的氢的方式。通过分析选取了合适的吸氢材料和用量,并结合试验和对比确定了采用导电胶粘接的安装方式将其固定在电路外壳内侧。通过一系列的激发试验和模拟应用试验验证得出,适当地使用该吸氢材料可以可靠地吸收微波密封壳体中的大部分氢。该研究对于提高微波密封电路的可靠性具有一定的指导意义。