碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液。采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响。结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO_2。随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物。当NaClO含量在2%~10%时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加。NaClO含量为6%时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好。

CZT晶体用化学机械抛光液的制备及其性能研究

化学机械抛光工艺是碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride,CZT)晶体表面处理的关键技术之一。其中,化学机械抛光液是影响晶片表面质量的重要因素。目前用于CZT晶片的抛光液主要是依靠进口的碱性抛光液,这严重制约了我国CZT晶体研究的发展。采用硅溶胶和次氯酸钠(NaClO)溶液作为主要原料,制备了碱性化学机械抛光液。然后采用该抛光液对CZT晶片表面进行了化学机械抛光,并对抛光表面进行了表征。实验结果表明,抛光后晶片表面的粗糙度小于2 nm,因此采用硅溶胶-次氯酸钠碱性抛光液可制备出高质量的CZT抛光表面。

正交试验法优化SiC增强铝基复合材料的制备工艺

采用搅拌铸造法,以SiC颗粒为增强相,制备铝基复合材料。以所得试样的密度和磨损率为目标函数,以搅拌温度(A)、搅拌速度(B)、搅拌时间(C)为变量进行正交优化设计。结果表明,搅拌因素对复合材料密度的影响顺序为:B>C>A;对磨损率的影响顺序为:B>A>C。制备SiC增强铝基复合材料的最佳工艺参数为:搅拌温度780℃,搅拌速度300 r/min,搅拌时间40 min。