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微观领域的负质量粒子
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作者 文钦若 段苹 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第2期130-135,共6页
在量子力学中引入负质量粒子使很多问题得到很好解释 ,并通过正、负质量Dirac场的混合 。
关键词 负质量粒子 微观领域 量子力学 相对论
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关于电磁对称性
2
作者 文钦若 李慧玲 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第S1期27-30,77,共5页
将电磁理论改写为电磁对偶的形式而不破坏原来的理论体系,并提出了对磁单极子的新观点。
关键词 电磁对偶 磁单极子
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异体互对偶变换 被引量:1
3
作者 文钦若 《物理通报》 2012年第5期85-88,共4页
通过两个平面线性网络之间的对偶变换讨论了异体互对偶的特点,还讨论了怎样求得两个线性双口网络的对偶等效网络,这对于异体对偶原理的理解与应用具有一定意义.
关键词 异体对偶变换 基尔霍夫方程组 双口网络
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修改微观领域中点电荷之间库仑作用力的尝试
4
作者 文钦若 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第S1期108-110,共3页
本文通过对电子与正电子湮没过程的描述修改了微观领域中库仓定律;在保留点粒子模型的基础上消除了无限大能量的问题.
关键词 库仑定律 无限能量
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地面坐标系
5
作者 文钦若 严立坤 +1 位作者 程云云 丁学成 《物理通报》 2012年第11期29-30,共2页
讨论了地面坐标系作为近似惯性坐标系的条件;还讨论了自由落体运动的能量关系式.
关键词 地面坐标系 自由落体运动 能量关系式
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惯性力
6
作者 文钦若 丁学成 《物理通报》 2012年第6期29-30,共2页
讨论了惯性力对惯性坐标系与惯性参照物是否有影响的问题;此外,还讨论了惯性力的测量问题.
关键词 惯性力 引力 等效原理
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电磁场矢势与标势的特性——关于电磁场是由有能与无能两部分物质组成的论证
7
作者 文钦若 《物理通报》 2013年第12期18-19,共2页
为了说明物质是由有能部分与无能部分构成的,在此文中提出了电磁场是由有能部分与无能部分构成的观点.
关键词 电磁场 能量 屏蔽
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同体对偶变换与不存在磁单极子的理论分析
8
作者 文钦若 《物理通报》 2013年第3期93-97,共5页
通过同体对偶变换,讨论了没有磁单极子的电磁对称性.
关键词 同体对偶变换 磁单极子 有源电磁场
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EACVD低温合成金刚石薄膜中非线性电场的数值模拟 被引量:2
9
作者 赵庆勋 张靖 +2 位作者 辛红丽 文钦若 杨景发 《计算物理》 CSCD 北大核心 2003年第5期399-402,共4页
 采用蒙特卡罗模拟方法,研究了电子辅助热丝化学气相沉积(EACVD)技术低温合成金刚石薄膜过程中反应区的非线性电场分布.结果表明:阳极基片附近反应区电场的空间分布按指数规律变化,在一定的偏压条件下,随着气压的变化阳极附近将出现反...  采用蒙特卡罗模拟方法,研究了电子辅助热丝化学气相沉积(EACVD)技术低温合成金刚石薄膜过程中反应区的非线性电场分布.结果表明:阳极基片附近反应区电场的空间分布按指数规律变化,在一定的偏压条件下,随着气压的变化阳极附近将出现反向电场,对于金刚石薄膜的低温合成中的正离子分子,该反向电场起重要作用. 展开更多
关键词 EACVD 金刚石薄膜 低温合成 非线性电场 数值模拟 电子辅助热丝化学气相沉积
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直流辉光等离子体辅助热丝CVD法沉积金刚石薄膜
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作者 赵庆勋 韩佳宁 +2 位作者 文钦若 辛红丽 杨景发 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第1期137-139,共3页
采用直流辉光等离子体助进热丝化学气相沉积 (CVD)的方法 ,低温 (5 5 0— 62 0℃ )沉积得到晶态金刚石薄膜。经 X射线衍射谱 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)分析表明 :稍高气压有利于金刚石薄膜的快速。
关键词 化学气相沉积 金刚石薄膜 制备 X射线 衍射谱 直流辉光等离子辅助热丝 扫描电子显微镜
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非均匀电场中电子在H_2/CH_4混合气体中运动的数值模拟
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作者 辛红丽 韩佳宁 +1 位作者 赵庆勋 文钦若 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期381-384,共4页
用MonteCarlo数值模拟方法研究了辉光等离子体辅助化学气相沉积法 (GPCVD)低温合成金刚石的过程中 ,电子在H2 /CH4 混合气体中的运动 .本文在数值模拟中 ,采用非匀强电场 ,并考虑了电子的雪崩过程 ,实现了对须跟踪的粒子数不断增长的系... 用MonteCarlo数值模拟方法研究了辉光等离子体辅助化学气相沉积法 (GPCVD)低温合成金刚石的过程中 ,电子在H2 /CH4 混合气体中的运动 .本文在数值模拟中 ,采用非匀强电场 ,并考虑了电子的雪崩过程 ,实现了对须跟踪的粒子数不断增长的系统的MonteCarlo模拟 。 展开更多
关键词 MonteCarlo方法 等离子体 电子运动 氢气 甲烷 混合气体 金刚石薄膜 GPCVD 数值模拟
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金刚石n型掺杂的研究进展 被引量:2
12
作者 韩佳宁 赵庆勋 +1 位作者 辛红丽 文钦若 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期87-91,共5页
对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述 ,并对Ⅰ族元素 (Li,Na) ,Ⅴ族元素 (N ,P) ,Ⅵ族元素 (O ,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较 .分析表明 :采用CVD法 。
关键词 N型半导体 金刚石 CVD法 施主元素 掺杂工艺 掺杂机理 掺杂类型 硫杂质 半导体材料
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直流辉光等离子体助进热丝CVD法沉积金刚石薄膜 被引量:2
13
作者 韩佳宁 赵庆勋 +1 位作者 文钦若 辛红丽 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期48-50,共3页
采用直流辉光等离子体助进热丝 CVD的方法 ,低温 ( 5 5 0~ 6 2 0℃ )沉积得到晶态金刚石薄膜 .经X射线衍射谱、扫描电子显微镜及 Raman光谱分析表明 :稍高气压有利于金刚石薄膜的快速、致密生长 .
关键词 低温生长 金刚石薄膜 直流辉光等离子体助进热丝CVD法 沉积条件 X射线衍射谱 Raman方谱
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The Effect of Pressure on the Dissociation of H_2/CH_4Gas Mixture during Diamond Films Growth via Chemical Vapor Deposition 被引量:1
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作者 赵庆勋 辛红丽 +2 位作者 韩佳宁 文钦若 杨景发 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第1期1113-1118,共6页
Monte Carlo simulations are adopted to study the electron motion in the mixture of H2 and CH4 during diamond synthesis via Glow Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition (GPCVD). The non-uniform electric field is used... Monte Carlo simulations are adopted to study the electron motion in the mixture of H2 and CH4 during diamond synthesis via Glow Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition (GPCVD). The non-uniform electric field is used and the avalanche of electrons is taken into account in this simulation. The average energy distribution of electrons and the space distribution of effective species such as CH3, CH+3, CH+ and H at various gas pressures are given in this paper, and optimum experimental conditions are inferred from these results. 展开更多
关键词 The Effect of Pressure on the Dissociation of H2/CH4Gas Mixture during Diamond Films Growth via Chemical Vapor Deposition CH
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Monte Carlo Simulation of Electron Swarm in the Diamond Film Growth via EACVD
15
作者 赵庆勋 文钦若 +2 位作者 杨景发 张靖 辛红丽 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第2期1729-1734,共6页
Monte Carlo simulations are adopted to study the electron transport process in the non-uniform electric field. Some important parameters of electrons in diamond films dynamic process at low temperature via EACVD such ... Monte Carlo simulations are adopted to study the electron transport process in the non-uniform electric field. Some important parameters of electrons in diamond films dynamic process at low temperature via EACVD such as angle distribution, energy distribution, average energy of electrons are given. The results indicate that the electron scattering near the substrate is mainly of a large-angle scattering, exhibiting a double-peaking distribution. All of the conclusions provide some theoretical data referential to the vapor dynamic model of diamond film growth at low temperature via EACVD. 展开更多
关键词 diamond film EACVD Monte Carlo simulation
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