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Half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的磁性及电子结构的第一性原理研究 被引量:6
1
作者 文黎巍 王宇杰 +1 位作者 裴慧霞 支联合 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期333-337,共5页
用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的晶体结构、磁性及电子结构.计算结果表明,磁性原子Fe和Mn在两种合金的总磁矩中贡献最大,在NiFeSb总磁矩中,Ni原子贡献比例接近在NiMnSb中的2倍,而Sb原子的... 用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了half-Heusler合金NiFeSb和NiMnSb的晶体结构、磁性及电子结构.计算结果表明,磁性原子Fe和Mn在两种合金的总磁矩中贡献最大,在NiFeSb总磁矩中,Ni原子贡献比例接近在NiMnSb中的2倍,而Sb原子的贡献比例是在NiMnSb中的1/5;两种合金的自旋向上能带都具有明显的金属特征,而自旋向下能带有明显的差别;两种合金费米能级以下的总态密度(DOS)主要由Ni—3d和Fe—3d(Mn—3d)态决定,费米能级以上主要由Fe—3d(Mn—3d)自旋向下部分决定. 展开更多
关键词 half-Heusler合金 磁性 电子结构 NiFeSb NIMNSB
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SiH_4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究 被引量:2
2
作者 文黎巍 周俊敏 +2 位作者 苗挂帅 贾瑜 杨仕娥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期516-519,共4页
用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能。计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应... 用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能。计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3∶H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的。 展开更多
关键词 第一性原理 吸附能 结构参数 反应机制
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薄膜生长计算机模拟概论 被引量:1
3
作者 文黎巍 郭巧能 +2 位作者 丁俊 文书堂 杨仕娥 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2008年第2期217-219,223,共4页
阐述了计算机模拟薄膜生长的重要意义,介绍了计算机模拟薄膜生长的主要步骤和方法,重点阐述了蒙特卡罗和分子动力学方法的基本原理、关键问题及研究与应用进展,展望了薄膜生长计算机模拟的发展趋势。
关键词 薄膜 计算机模拟 蒙特卡罗 分子动力学
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Mn掺杂GaAs体系的第一性原理研究 被引量:2
4
作者 文黎巍 叶金琴 《河南工程学院学报(自然科学版)》 2015年第2期78-80,共3页
基于第一性原理计算方法,研究了Mn掺杂GaAs体系的电子结构、磁结构及磁性来源.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体性质;其次,发现Mn掺杂浓度为6.25%的GaAs体系的稳定磁结构为铁磁构型,其态密度仍具有半导体性质,分析其磁性主... 基于第一性原理计算方法,研究了Mn掺杂GaAs体系的电子结构、磁结构及磁性来源.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体性质;其次,发现Mn掺杂浓度为6.25%的GaAs体系的稳定磁结构为铁磁构型,其态密度仍具有半导体性质,分析其磁性主要来源于Mn原子. 展开更多
关键词 稀磁半导体 第一性原理 电子结构 磁性质
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SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究
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作者 文黎巍 裴慧霞 +1 位作者 王宇杰 支联合 《周口师范学院学报》 CAS 2012年第2期50-53,共4页
用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了SiH在Si(001)面的吸附,计算了SiH在6个高对称位置吸附后的优化结构、吸附能以及键长和键角的变化等.研究发现,在同一排的二聚体之间的吸附最稳定,二聚体上次之,相邻二聚体排之间的槽内最不稳定.
关键词 第一性原理 吸附能 SIH 反应机制
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Bi/AlSb(110)体系的结构和电子性质的第一性原理研究
6
作者 文黎巍 裴慧霞 《河南工程学院学报(自然科学版)》 2016年第4期79-82,共4页
使用第一性原理密度泛函理论研究了在AlSh( 110)衬底表面外延生长B i薄膜的表面结构和电子性质,计算了生长1 - 6 层B i薄膜的层间距、吸附能与能带结构. 研究发现,不同层数的B i薄膜显示出奇偶振荡:奇数层稳定,偶数层不稳定;1 ,3 奇... 使用第一性原理密度泛函理论研究了在AlSh( 110)衬底表面外延生长B i薄膜的表面结构和电子性质,计算了生长1 - 6 层B i薄膜的层间距、吸附能与能带结构. 研究发现,不同层数的B i薄膜显示出奇偶振荡:奇数层稳定,偶数层不稳定;1 ,3 奇数层为半导体,2 ,4 偶数层为金属,5 ,6 层均为金属态,不存在振荡. 展开更多
关键词 第一性原理 Bi薄膜 吸附能
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镍掺杂ZnO的半金属铁磁性质和光学性质的研究 被引量:2
7
作者 王宇杰 文黎巍 申江 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期327-332,共6页
采用基于局域密度泛函理论的第一原理平面波超软膺势法,研究了纯净ZnO和Ni掺杂ZnO后的能带结构、电子态密度以及光学性质,结果表明:Ni掺杂ZnO后存在自旋极化,体系表现出半金属铁磁性质,可以实现自旋极化载流子的注入,并且在可见光区和... 采用基于局域密度泛函理论的第一原理平面波超软膺势法,研究了纯净ZnO和Ni掺杂ZnO后的能带结构、电子态密度以及光学性质,结果表明:Ni掺杂ZnO后存在自旋极化,体系表现出半金属铁磁性质,可以实现自旋极化载流子的注入,并且在可见光区和紫外光区(1.98 eV~5.61 eV)的吸收系数显著提高. 展开更多
关键词 密度泛函理论 第一性原理 Ni掺杂ZnO 铁磁性质 自旋极化
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MATLAB在大学物理教学中的应用 被引量:2
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作者 裴慧霞 文黎巍 支联合 《周口师范学院学报》 CAS 2010年第2期57-59,共3页
在大学物理教学中使用MATLAB进行科学计算结果迅捷而准确,且具有可视化能力,有助于提高教学效率.探讨了MATLAB在大学物理教学中的优势、实施途径,并举例进一步说明了MATLAB在大学物理教学应用中的意义.
关键词 大学物理教学 MATLAB
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Ni掺杂锂硫电池正极材料Li_2S性能研究 被引量:1
9
作者 罗改霞 文黎巍 《湖南城市学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第4期98-99,共2页
锂硫电池以其能量密度高和原材料丰富等优点而备受关注。本文采用第一性原理方法研究了Ni掺杂锂硫电池正极材料Li_2S的锂空位形成能。结果表明:Ni引起费米能级处的间隙态通过调制电子以有利于Li的嵌入/脱出。
关键词 第一性原理 锂硫电池 Ni掺杂
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铜掺杂锂硫电池正极材料Li_2S性能研究
10
作者 罗改霞 文黎巍 《湖南城市学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第3期112-113,共2页
锂硫电池因其能量密度高和原材料丰富等优点而备受关注。应用第一性原理方法对Li_2S及其掺杂化合物的晶体结构、电子性质进行了研究。结果表明:掺杂Cu到Li_2S体系显著地减低了Li空位形成能主要是由于Cu引起的新峰通过调制电子以利于Li... 锂硫电池因其能量密度高和原材料丰富等优点而备受关注。应用第一性原理方法对Li_2S及其掺杂化合物的晶体结构、电子性质进行了研究。结果表明:掺杂Cu到Li_2S体系显著地减低了Li空位形成能主要是由于Cu引起的新峰通过调制电子以利于Li的嵌入/脱出。 展开更多
关键词 锂硫电池 第一性原理 CU掺杂
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AlSb(110)基外延生长Bi薄膜的第一性原理研究
11
作者 丁俊 文黎巍 《周口师范学院学报》 CAS 2014年第5期45-47,共3页
用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了在A lS b (110)衬底表面外延生长1~6层Bi薄膜的能带结构,计算了它们的带隙。研究发现,不同厚度的Bi薄膜显示出传导性质的奇偶振荡,1层和3层显示出非金属性质,2层和4层及更高的层数转变... 用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了在A lS b (110)衬底表面外延生长1~6层Bi薄膜的能带结构,计算了它们的带隙。研究发现,不同厚度的Bi薄膜显示出传导性质的奇偶振荡,1层和3层显示出非金属性质,2层和4层及更高的层数转变为金属性质。 展开更多
关键词 第一性原理 Bi薄膜 能带结构
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大学物理设计性实验教学改进
12
作者 丁俊 文黎巍 《大众科技》 2014年第6期205-208,共4页
文章阐述了设计性实验的内涵、特点和重要意义。通过问卷调查,对现阶段中国大学的设计性实验教学的内容和教学模式,教师及学生对设计性实验的认识和态度,设计性实验教学的实际教学效果等方面进行了了解。并结合其在现实实施过程中所出... 文章阐述了设计性实验的内涵、特点和重要意义。通过问卷调查,对现阶段中国大学的设计性实验教学的内容和教学模式,教师及学生对设计性实验的认识和态度,设计性实验教学的实际教学效果等方面进行了了解。并结合其在现实实施过程中所出现的问题,提出了一些切实有效的改进方案。 展开更多
关键词 大学物理 设计性实验 改进
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锡烯在应力和电场下的电子结构研究
13
作者 文黎巍 刘书成 刘润东 《周口师范学院学报》 CAS 2022年第5期48-51,共4页
基于第一性原理密度泛函理论计算研究了锡烯在水平应力和垂直电场调控下的稳定结构和电子结构。计算结果表明:锡烯扭曲常数随着应力的增大变小,键长变长。不考虑自旋轨道耦合的情况下,带隙并没有打开,应力可以使但价带顶向上移动,穿过... 基于第一性原理密度泛函理论计算研究了锡烯在水平应力和垂直电场调控下的稳定结构和电子结构。计算结果表明:锡烯扭曲常数随着应力的增大变小,键长变长。不考虑自旋轨道耦合的情况下,带隙并没有打开,应力可以使但价带顶向上移动,穿过费密能级,显出金属性质;考虑自旋轨道耦合的情况下,价带顶上移的同时带隙打开0.07 eV。锡烯在0.1~0.5 eV的垂直电场下,不考虑自旋轨道耦合时,随着电场的增大带隙变大并显出金属性;考虑自旋轨道耦合时,随着电场的增大带隙变小并由半导体向金属性转变。 展开更多
关键词 第一性原理 锡烯 应变 电场 电子结构
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铁电极化翻转对硅烯异质结中电子性质的调控
14
作者 丁俊 文黎巍 +1 位作者 李瑞雪 张英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第17期337-343,共7页
硅烯是硅原子蜂窝状排列构成的二维材料,由于其层内硅原子不在同一平面上而易受到电场等调控,近年来成为理论和实验研究的一个热点.借助于第一性原理计算方法,详细研究了硅烯和二维铁电材料In_(2)S_(3)单层材料异质结的堆垛形式和电子结... 硅烯是硅原子蜂窝状排列构成的二维材料,由于其层内硅原子不在同一平面上而易受到电场等调控,近年来成为理论和实验研究的一个热点.借助于第一性原理计算方法,详细研究了硅烯和二维铁电材料In_(2)S_(3)单层材料异质结的堆垛形式和电子结构.计算结果表明,硅烯和In_(2)S_(3)可以形成稳定的异质结,In_(2)S_(3)衬底的自发铁电极化对硅烯能带有显著调控作用.铁电极化方向向上时,自发极化电场和衬底的共同作用在狄拉克点打开能隙,K和K’点贝利曲率符号相反,对应能谷霍尔效应态.铁电极化方向向下时,硅烯和In_(2)S_(3)之间间距变小,费米能级有能带穿过,对应金属态.研究结果对铁电调控硅烯二维异质结提供参考,为硅烯异质结在信息存储领域的应用指明方向. 展开更多
关键词 硅烯 铁电性质 异质结 能谷霍尔效应
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Magnetic and Ferroelectric Properties of BiCrOa from First-Principles Calculations
15
作者 丁俊 康秀宝 +2 位作者 文黎巍 李海东 张健敏 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2014年第10期130-133,共4页
The electro,tic, magnetic, and ferroelectric properties of BiCrO3 in C2/c and R3c structure are investigated by first principles calculations. It is found that the easy magnetization axis in C2/c structure is along th... The electro,tic, magnetic, and ferroelectric properties of BiCrO3 in C2/c and R3c structure are investigated by first principles calculations. It is found that the easy magnetization axis in C2/c structure is along the b axis, the magnetic order in R3c structure is G-type antiferromagnetic and the easy magnetization axis is along the rhombohedral [111] direction. Berry phase theory predicts that the R3c structure of BiCrOa has a large spontaneous polarization of 73.9 μC/cm2 along the rhombohedral [111] direction. 展开更多
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Sb系half-Heusler合金磁性及电子结构的第一性原理研究
16
作者 文黎巍 王玉梅 +1 位作者 裴慧霞 丁俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期599-603,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Sb系half-Heusler合金XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)的晶体结构、磁性及电子结构.计算结果表明,在平衡晶格常数下,合金NiMnSb为半金属,其他为金属.合金的总磁矩主要由Y元素自旋磁距贡献,随着元... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Sb系half-Heusler合金XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)的晶体结构、磁性及电子结构.计算结果表明,在平衡晶格常数下,合金NiMnSb为半金属,其他为金属.合金的总磁矩主要由Y元素自旋磁距贡献,随着元素X原子序数减小,费米能级移向自旋向下能带导带底;压缩使费米能级上移,远离Sb原子p能带,PtMnSb,PdMnSb与NiCrSb在压应力下可实现金属—磁性半金属转变. 展开更多
关键词 第一性原理 磁性 电子结构 金属—磁性半金属转变
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衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响 被引量:4
17
作者 杨仕娥 文黎巍 +4 位作者 陈永生 汪昌州 谷锦华 郜小勇 卢景霄 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5176-5181,共6页
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内... 以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内,随着衬底温度升高薄膜的晶化率单调下降,暗电导率先缓慢增加然后迅速下降,变化趋势与硼烷掺杂比的影响极为相似.最后着重讨论了p型氢化微晶硅薄膜的生长机理. 展开更多
关键词 p型氢化微晶硅薄膜 衬底温度 晶化率 电导率
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单轴压力下Ge_2X_2Te_5(X=Sb,Bi)薄膜拓扑相变的第一性原理研究
18
作者 张梅 文黎巍 +1 位作者 丁俊 张英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期227-235,共9页
随着拓扑绝缘体的发现,材料拓扑物性的研究成为凝聚态物理研究的热点领域.本文基于第一性原理计算,研究了化合物Ge2X2Te5(X=Sb,Bi)的块体结构和二维单层和双层薄膜结构的拓扑物性,以及单双层薄膜在垂直方向单轴压力下的拓扑量子相变.研... 随着拓扑绝缘体的发现,材料拓扑物性的研究成为凝聚态物理研究的热点领域.本文基于第一性原理计算,研究了化合物Ge2X2Te5(X=Sb,Bi)的块体结构和二维单层和双层薄膜结构的拓扑物性,以及单双层薄膜在垂直方向单轴压力下的拓扑量子相变.研究发现,A型原子序列排列的这两种化合物都是拓扑绝缘体,其单层薄膜都是普通金属,而双层薄膜都是拓扑金属,单层和双层薄膜在单轴加压过程中都没有发生拓扑量子相变;这两种化合物的B型原子序列的晶体是普通绝缘体,其所对应的薄膜,Ge2Sb2Te5单层是普通金属,双层薄膜和Ge2Bi2Te5的单层和双层薄膜均为普通绝缘体,但是在单轴加压过程中B型原子序列所对应的单层和双层薄膜都转变为拓扑金属. 展开更多
关键词 单轴压力 拓扑金属 拓扑量子相变
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