期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
ZnGeP2晶体2~2.5μm点缺陷研究
被引量:
2
1
作者
方声浩
谢华
+2 位作者
杨顺达
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第12期2169-2173,共5页
ZnGeP2晶体在2~2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响。利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,...
ZnGeP2晶体在2~2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响。利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,对应的波长小于670 nm。其次通过实验的方法采用过量0.5at%Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火。通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2~2.3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2.4μm以后的吸收峰为V Zn点缺陷产生。最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论。
展开更多
关键词
ZNGEP2
GeZn点缺陷
VZn点缺陷
红外吸收谱
下载PDF
职称材料
ZnGeP_(2)晶体中的晶格振动模拟与光谱分析
被引量:
1
2
作者
赵鑫
谢华
+2 位作者
方声浩
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第2期185-192,共8页
ZnGeP_(2)晶体在9~10μm的光学吸收限制了其在中远红外波段的应用,该波段吸收与其晶格振动有关。本文通过理论计算与实验相结合的方法,解释了晶体红外截止边和9μm附近吸收峰的物理机制。通过布里奇曼法生长出ZnGeP_(2)单晶,并测试生长...
ZnGeP_(2)晶体在9~10μm的光学吸收限制了其在中远红外波段的应用,该波段吸收与其晶格振动有关。本文通过理论计算与实验相结合的方法,解释了晶体红外截止边和9μm附近吸收峰的物理机制。通过布里奇曼法生长出ZnGeP_(2)单晶,并测试生长得到的ZnGeP_(2)晶体的变温拉曼光谱和变压拉曼光谱,基于第一性原理方法计算了ZnGeP_(2)布里渊区中心的振动频率,并计算了不同压力下晶体的晶格常数和拉曼位移峰的位置。实验结果与理论计算结果表明:温度升高使得其振动模发生红移,且振动模强度减弱,半峰全宽变大,而压力增大则会引起ZnGeP_(2)晶体振动模发生蓝移,振动模强度减弱,半峰全宽变大。
展开更多
关键词
ZnGeP_(2)
拉曼光谱
红外吸收
变温变压
第一性原理
多声子吸收
晶格振动
下载PDF
职称材料
减少ZnGeP 2晶体1~2.5μm光学吸收的研究
3
作者
赵鑫
谢华
+2 位作者
方声浩
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2021年第1期20-24,共5页
ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟...
ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟电子辐照来寻找合适的辐照条件,对布里奇曼法生长出的ZnGeP 2单晶分别进行退火热处理和电子辐照处理,并采用红外光谱仪和综合物理性能测量系统测试不同条件下ZnGeP 2晶体的红外吸收光谱、霍尔系数和载流子浓度。结果表明退火热处理能有效减少ZnGeP 2晶体在1.2μm和1.4μm附近的光学吸收,而电子辐照处理有利于减少ZnGeP 2晶体在2.0μm附近的光学吸收,实验结果与计算结果一致。
展开更多
关键词
ZnGeP
2
点缺陷
布里奇曼法
红外吸收
霍尔效应
下载PDF
职称材料
籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能
4
作者
张志城
方声浩
《集美大学学报(自然科学版)》
CAS
2022年第6期565-569,共5页
为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr_(3):Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr_(3):Ce晶体在^(137)Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0...
为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr_(3):Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr_(3):Ce晶体在^(137)Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合Ф20 mm×5 mm溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr_(3):Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22 Na(511 keV)。制备了6×6的LaBr_(3):Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr_(3):Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。
展开更多
关键词
溴化镧
能量分辨率
阵列
二维散点图
位置分辨率
下载PDF
职称材料
题名
ZnGeP2晶体2~2.5μm点缺陷研究
被引量:
2
1
作者
方声浩
谢华
杨顺达
庄巍
叶宁
机构
中国科学院福建物质结构研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019年第12期2169-2173,共5页
基金
国家自然科学基金重大项目(51890862)
文摘
ZnGeP2晶体在2~2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响。利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,对应的波长小于670 nm。其次通过实验的方法采用过量0.5at%Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火。通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2~2.3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2.4μm以后的吸收峰为V Zn点缺陷产生。最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论。
关键词
ZNGEP2
GeZn点缺陷
VZn点缺陷
红外吸收谱
Keywords
ZnGeP2
GeZn point defect
VZn point defect
IR absorption spectrum
分类号
O77 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
ZnGeP_(2)晶体中的晶格振动模拟与光谱分析
被引量:
1
2
作者
赵鑫
谢华
方声浩
庄巍
叶宁
机构
中国科学院福建物质结构研究所
天津理工大学功能晶体研究院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第2期185-192,共8页
基金
国家自然科学基金重大项目(51890862)。
文摘
ZnGeP_(2)晶体在9~10μm的光学吸收限制了其在中远红外波段的应用,该波段吸收与其晶格振动有关。本文通过理论计算与实验相结合的方法,解释了晶体红外截止边和9μm附近吸收峰的物理机制。通过布里奇曼法生长出ZnGeP_(2)单晶,并测试生长得到的ZnGeP_(2)晶体的变温拉曼光谱和变压拉曼光谱,基于第一性原理方法计算了ZnGeP_(2)布里渊区中心的振动频率,并计算了不同压力下晶体的晶格常数和拉曼位移峰的位置。实验结果与理论计算结果表明:温度升高使得其振动模发生红移,且振动模强度减弱,半峰全宽变大,而压力增大则会引起ZnGeP_(2)晶体振动模发生蓝移,振动模强度减弱,半峰全宽变大。
关键词
ZnGeP_(2)
拉曼光谱
红外吸收
变温变压
第一性原理
多声子吸收
晶格振动
Keywords
ZnGeP_(2)
Raman spectroscopy
infrared absorption
variable temperature and pressure
first-principle
multiphonic absorption
lattice vibration
分类号
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
减少ZnGeP 2晶体1~2.5μm光学吸收的研究
3
作者
赵鑫
谢华
方声浩
庄巍
叶宁
机构
中国科学院福建物质结构研究所
中国科学院大学
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2021年第1期20-24,共5页
基金
国家自然科学基金重大项目(51890862)。
文摘
ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟电子辐照来寻找合适的辐照条件,对布里奇曼法生长出的ZnGeP 2单晶分别进行退火热处理和电子辐照处理,并采用红外光谱仪和综合物理性能测量系统测试不同条件下ZnGeP 2晶体的红外吸收光谱、霍尔系数和载流子浓度。结果表明退火热处理能有效减少ZnGeP 2晶体在1.2μm和1.4μm附近的光学吸收,而电子辐照处理有利于减少ZnGeP 2晶体在2.0μm附近的光学吸收,实验结果与计算结果一致。
关键词
ZnGeP
2
点缺陷
布里奇曼法
红外吸收
霍尔效应
Keywords
ZnGeP 2
point defect
Bridgman method
IR absorption spectrum
Hall effect
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能
4
作者
张志城
方声浩
机构
中国科学院福建物质结构研究所
出处
《集美大学学报(自然科学版)》
CAS
2022年第6期565-569,共5页
基金
中国科学院STS行动计划项目(KFJ-STS-ZDTP-085)
国家自然科学基金项目(12075248)。
文摘
为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr_(3):Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr_(3):Ce晶体在^(137)Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合Ф20 mm×5 mm溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr_(3):Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22 Na(511 keV)。制备了6×6的LaBr_(3):Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr_(3):Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。
关键词
溴化镧
能量分辨率
阵列
二维散点图
位置分辨率
Keywords
LaBr_(3)
energy resolution
array
two-dimensional scatter image
position resolution
分类号
O78 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnGeP2晶体2~2.5μm点缺陷研究
方声浩
谢华
杨顺达
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2019
2
下载PDF
职称材料
2
ZnGeP_(2)晶体中的晶格振动模拟与光谱分析
赵鑫
谢华
方声浩
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
3
减少ZnGeP 2晶体1~2.5μm光学吸收的研究
赵鑫
谢华
方声浩
庄巍
叶宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
4
籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能
张志城
方声浩
《集美大学学报(自然科学版)》
CAS
2022
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部