ZnGeP2晶体2～2.5μm点缺陷研究

ZnGeP2晶体在2~2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响。利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,对应的波长小于670 nm。其次通过实验的方法采用过量0.5at%Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火。通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2~2.3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2.4μm以后的吸收峰为V Zn点缺陷产生。最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论。

ZnGeP_(2)晶体中的晶格振动模拟与光谱分析

ZnGeP_(2)晶体在9~10μm的光学吸收限制了其在中远红外波段的应用,该波段吸收与其晶格振动有关。本文通过理论计算与实验相结合的方法,解释了晶体红外截止边和9μm附近吸收峰的物理机制。通过布里奇曼法生长出ZnGeP_(2)单晶,并测试生长得到的ZnGeP_(2)晶体的变温拉曼光谱和变压拉曼光谱,基于第一性原理方法计算了ZnGeP_(2)布里渊区中心的振动频率,并计算了不同压力下晶体的晶格常数和拉曼位移峰的位置。实验结果与理论计算结果表明:温度升高使得其振动模发生红移,且振动模强度减弱,半峰全宽变大,而压力增大则会引起ZnGeP_(2)晶体振动模发生蓝移,振动模强度减弱,半峰全宽变大。

减少ZnGeP 2晶体1~2.5μm光学吸收的研究

ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟电子辐照来寻找合适的辐照条件,对布里奇曼法生长出的ZnGeP 2单晶分别进行退火热处理和电子辐照处理,并采用红外光谱仪和综合物理性能测量系统测试不同条件下ZnGeP 2晶体的红外吸收光谱、霍尔系数和载流子浓度。结果表明退火热处理能有效减少ZnGeP 2晶体在1.2μm和1.4μm附近的光学吸收,而电子辐照处理有利于减少ZnGeP 2晶体在2.0μm附近的光学吸收,实验结果与计算结果一致。

籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能

为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr_(3):Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr_(3):Ce晶体在^(137)Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合Ф20 mm×5 mm溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr_(3):Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22 Na(511 keV)。制备了6×6的LaBr_(3):Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr_(3):Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。