Micro-LED显示驱动技术

Micro-LED技术是近几十年来随着电子信息化进程加快而发展的显示技术,它凭借微型化、功耗低、响应速度快和分辨率高等独特之处,成熟运用在空间显示、医疗探测和可见光通信等领域。若要实现基于Micro-LED的实用显示系统,驱动技术至关重要。首先介绍了Micro-LED显示原理及结构,随后对Micro-LED的显示驱动技术进行对比分析。

具有新型电极结构的功率发光二极管

为进一步提高GaN基发光二极管(LED)的光效,以改进电极结构为研究点,设计并制备了具有叉指型电极形状,并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构。该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触,进而提高了器件的电流扩展能力和发光效率。为了得到更优的电流阻挡层(CBL)结构、电极孔尺寸和电极孔间距,设计了7种不同的器件,并对其进行了光电性能测试。测试结果表明:在150 mA工作电流下,不连续CBL结构不能够有效改善LED的发光性能;P电极孔尺寸对器件的性能影响不大,当P电极孔间距由20μm增大为30μm时,外量子效率(EQE)和光电转换效率(WPE)分别提升了约5.0%和3.8%;当N电极孔尺寸由17μm×5μm减小为10μm×5μm时,EQE和WPE分别提升了约6.5%和3.0%;当N电极孔间距由45μm减小为40μm时,并未有效改善器件的发光性能。