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掺杂BN、B_2O_3对PTC瓷料性能的影响
被引量:
4
1
作者
曲远方
薄占满
+2 位作者
方春行
徐廷献
安建军
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期16-20,共5页
本文介绍了掺杂BN、B_2O_3对以BaTiO_3为基的PTC瓷料性能的影响。引入适当量的BN、B_2O_3促进了PTC瓷料的半导化,降低并拓宽了烧结温度范围,提高了PTC热敏电阻的高温电阻稳定性,有效地保证了该热敏电阻工作状态的稳定和寿命的延长,为该...
本文介绍了掺杂BN、B_2O_3对以BaTiO_3为基的PTC瓷料性能的影响。引入适当量的BN、B_2O_3促进了PTC瓷料的半导化,降低并拓宽了烧结温度范围,提高了PTC热敏电阻的高温电阻稳定性,有效地保证了该热敏电阻工作状态的稳定和寿命的延长,为该材料的批量生产和实用化开发提供了可靠的基础。
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关键词
瓷料
PTC
热敏电阻
掺杂
BN
B2O3
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职称材料
生产PTC热敏电阻用的新原料
被引量:
1
2
作者
刘伟
卢培珍
+1 位作者
陈汴琨
方春行
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1995年第3期51-54,共4页
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTC热敏电阻的一些问题。主要研究偏钛酸作为生产PTC热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨...
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTC热敏电阻的一些问题。主要研究偏钛酸作为生产PTC热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。在低于800℃的一定温度范围内,煅烧经预先球磨的偏铁酸或在800℃以上直接煅烧,均可实现瓷料的半导化。
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关键词
热敏电阻
偏钛酸
正温度系数
烧结温度
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职称材料
PTCR热敏电阻新原料的探讨
3
作者
刘伟
卢培珍
+1 位作者
陈汴琨
方春行
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期14-16,共3页
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTCR(正温度系数热敏电阻)的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产PTCR热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛...
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTCR(正温度系数热敏电阻)的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产PTCR热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。低于800℃的一定温度范围内预先对偏钛酸球磨后煅烧或800℃以上直接煅烧,均可实现瓷料的半导化。
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关键词
PTCR
偏钛酸
半导化
热敏电阻
正温度系数
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职称材料
题名
掺杂BN、B_2O_3对PTC瓷料性能的影响
被引量:
4
1
作者
曲远方
薄占满
方春行
徐廷献
安建军
机构
天津大学材料系
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期16-20,共5页
文摘
本文介绍了掺杂BN、B_2O_3对以BaTiO_3为基的PTC瓷料性能的影响。引入适当量的BN、B_2O_3促进了PTC瓷料的半导化,降低并拓宽了烧结温度范围,提高了PTC热敏电阻的高温电阻稳定性,有效地保证了该热敏电阻工作状态的稳定和寿命的延长,为该材料的批量生产和实用化开发提供了可靠的基础。
关键词
瓷料
PTC
热敏电阻
掺杂
BN
B2O3
分类号
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
生产PTC热敏电阻用的新原料
被引量:
1
2
作者
刘伟
卢培珍
陈汴琨
方春行
机构
北京航空航天大学材料系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1995年第3期51-54,共4页
文摘
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTC热敏电阻的一些问题。主要研究偏钛酸作为生产PTC热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。在低于800℃的一定温度范围内,煅烧经预先球磨的偏铁酸或在800℃以上直接煅烧,均可实现瓷料的半导化。
关键词
热敏电阻
偏钛酸
正温度系数
烧结温度
分类号
TN373.04 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PTCR热敏电阻新原料的探讨
3
作者
刘伟
卢培珍
陈汴琨
方春行
机构
北京航空航天大学
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第8期14-16,共3页
文摘
研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产PTCR(正温度系数热敏电阻)的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产PTCR热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明:瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。低于800℃的一定温度范围内预先对偏钛酸球磨后煅烧或800℃以上直接煅烧,均可实现瓷料的半导化。
关键词
PTCR
偏钛酸
半导化
热敏电阻
正温度系数
Keywords
s: PTCR metatitanate
semiconductify
分类号
TN373 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺杂BN、B_2O_3对PTC瓷料性能的影响
曲远方
薄占满
方春行
徐廷献
安建军
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
1990
4
下载PDF
职称材料
2
生产PTC热敏电阻用的新原料
刘伟
卢培珍
陈汴琨
方春行
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1995
1
下载PDF
职称材料
3
PTCR热敏电阻新原料的探讨
刘伟
卢培珍
陈汴琨
方春行
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
下载PDF
职称材料
已选择
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