基于全链条的数字赋能校企合作人才培育创新模式

数字经济的发展以及产业结构的调整迫切需要多元化人才,而传统校企合作模式仍存在诸多问题,导致人才培养供给侧与产业发展需求侧不相匹配,严重浪费人才资源。基于此,该文从供需的维度出发,以市场需求为导向,构建“研-产-销”产学融合的全链条人才培育框架,并探讨校企合作实践从“产”到“销”的人才培育路径,提出数字赋能校企合作的人才培育创新模式的建议。该文研究成果,对促进校企合作纵深发展,提高数字化人才培养质量具有一定的实践应用意义。

自媒体语境下大学生理想信念教育的困境及其对策

以微博为代表的自媒体在大学生中十分盛行,已是很多大学生校园生活的重要组成部分,作为高校思想政治工作者,必须积极面对自媒体对大学生理想信念教育工作带来的影响。如何有效利用自媒体这一新载体、新平台的优势开展理想信念教育,克服传统理想信念教育中存在的问题,是思想政治教育工作的一项重要挑战。

基于“竞赛+实训”的高质量创新实践能力培养模式探索

基于科技竞赛和行业实训的大学生实践创新能力培养是实现教育与生产可持续发展的重要途径。本文以校企合作为依托,提出了大学生创新实践能力培养的六种模式,即“专业+职业”的双平台模式、“校内+业界”的团队教学模式、“学生+教师”的双新育人模式、“专职+兼职”的人才共享模式、“高校+企业”的合作办学模式、“教育+就业”无缝对接模式,以期为探索创新实践人才培养之路和校企可持续合作提供有力保障。

对新建本科院校高层次人才引进工作的思考

高层次创造性人才欠缺,学术精英、年轻的学科带头人较少是新建本科院校普遍存在的问题。引进高层次人才是新建本科院校提升人才队伍水平、改善师资队伍结构、加强学科专业建设、增强核心竞争力的重要途径。如何在有限的资源条件下做好高层次人才引进工作是值得高校人力资源工作者研究的重要课题。

基于连续介质位错理论的位错原子分布构造方法

基于连续介质位错理论提出一种新的位错原子分布构造方式,理论上可以构造出任意形状和任意Burgers矢量的位错结构.利用该方法,选用FCC单晶铜为模拟介质,构造Burgers矢量为b=[110]/2的刃型全位错和Burgers矢量为b=[112]/6圆环形不完全位错环,并使用分子动力学方法模拟全位错的扩展分解过程和不全位错环在自应力作用下的收缩过程,模拟结果与理论分析一致.该方法的优点在于可以方便地构造出其他传统方法难以构造的位错闭合结构——位错环,从而使位错环的细致研究成为可能.

土地政策中中央与地方政府间博弈模型及关系研究

本文通过对中央与地方政府关系中存在问题的阐述,分析了中央与地方政府在土地政策中的冲突,包括土地政策目标、土地制度、分税制三个方面。运用博弈相关理论,构建中央与地方政府在在不完全信息动态博弈下的完美贝叶斯均衡模型,通过此模型对中央与地方政府在土地政策中的博弈关系进行了具体的分析最后,根据分析结果提出相应土地政策建议。

基于扎根理论的城镇化进程中底层群体创业行为模型研究

采用扎根理论方法,通过开放式编码、主轴编码、选择性编码3个步骤来筛选核心范畴,借鉴计划行为理论(TPB)、创业事件模型(SEE)和社会认知理论(SCT),选取了渴求知觉、可行知觉、创业意向、征地情境、创业行为5个研究变量,构建出城镇化进程中底层群体创业的"意向—情境—行为"理论模型,并通过实践进行了验证,为推动城镇化进程中底层群体创业提供参考。

基于智能电视交互计算的资源共享环境设计

对于智能电视来说,由于运算能力的不足以及交互运算的相关问题,在运行交互性应用时交互运算时延较长。针对这一个问题,本文基于智能电视网络接入方式以及社区的电视分布情况,在WiFi和局域网的环境下,构建智能电视的交互计算资源共享方法,采用基于合同的计算共享机制保障共享机制运行的方法,通过数据缓存共享感知以及分布式协同缓存机制减少共享环境下的总体计算量,并以智能电视的三维场景渲染计算为例,结合实际的计算过程来分析和设计具体业务的构建过程。通过智能电视的计算资源共享设计,可以有效的缓解智能电视交互计算的压力,提高相应业务的服务质量。

铜晶体中类层错四面体的结构及其演化

运用分子动力学方法,研究了金属铜单晶中不同形状的Frank位错环演化形成的各种类层错四面体稳定构型.对其形成过程的细致分析表明,这些稳定构型都可以用统一的位错分解和位错反应过程来解释.模拟结果表明,在零温下各种Frank位错环存在各自的临界尺寸,小于临界尺寸的Frank位错环不能长成类层错四面体结构.对梯形、六边形等Frank位错环演化过程的模拟表明,在形成稳定类层错四面体的过程中,存在位错生长和回缩的振荡现象.振荡现象是由于位错间的排斥和吸引相互作用不同步或弹性波传播的延迟效应引起的.

有限温度下位错环的脱体现象

在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.