碘酸锂晶体生长过程的实时原位观察研究

应用ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ干涉法原位实时观察了ａＬｉＩＯ３的晶体生长过程。以ＨｅＮｅ激光为光源，用阿贝折射仪测定了碘酸锂过饱和溶液的折射率。ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ干涉条纹的图像数据处理表明：在静态条件下，ａＬｉＩＯ３晶体生长过程中固液界面边界层厚度约为０．３ｍｍ，其边界层厚度随溶液对流强度而减弱。折射率测定揭示出碘酸锂晶体饱和溶液的折射率随浓度和温度的变化呈现线性关系。

NaClO_3晶体生长过程研究

ＮａＣｌＯ３晶体生长过程研究沈蕴雪谢安云陈万春（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）方竟杨子立（北京大学力学系，北京１０００８７）ＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＰｒｏｃｅｓｏｆＮａＣｌＯ３ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈＳｈｅｎＹｕｎｘｕｅＸｉｅＡｎｙｕｎＣｈｅ...

糖尿病患者未必不可吃甜食

虽然饮食控制是糖尿病的基础治疗，但是，糖尿病患者并不是一点甜食都不可以吃，应根据食品的热量来决定。

错位相移技术研究

本文在充分总结错位技术与相移技术的基础上，提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术，并将二者结合起来，实现了错位与相移的结合，制作出了错位相移器。最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪之中。