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黄铜矿结构CuInS_2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
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作者 尚勋忠 方金钢 +3 位作者 王志强 黎明锴 周桃生 何云斌 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第1期89-92,共4页
采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质... 采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜.XRD分析表明薄膜具有良好的沿(112)方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1.4eV. 展开更多
关键词 CuInS2 陶瓷 薄膜 脉冲激光沉积
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