TeO_2晶体位错腐蚀形貌与晶体对称性

用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌,结合晶面极图,并运用对称群理论进行分析论证,理论分析与实验结果相一致.实验结果同时显示,TeO2晶体位错腐蚀坑面由{110}面族构成,即{110}面族是晶体的习性面.

CZ法生长参数对TeO_2晶体质量的影响

本文主要讨论CZ法生长TeO2 晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响 ,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理。从晶体形态、包裹体和位错密度变化等方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系。