带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵

报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。

157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵

通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．

大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管(英文)

设计与制作了大功率 80 8nm Al Ga As/ Ga As宽波导激光二极管 .器件的 Al0 .3 5Ga0 .65As波导厚度提高到0 .9μm,宽波导会引起高阶模的激射 .为了抑制高阶模 ,Al0 .55Ga0 .45As限制层厚度降低到 0 .7μm ,同时确保基横模的辐射损耗在 0 .2 cm- 1 以下 .采用 MOCVD进行材料生长 ,得到了高性能的器件 ,10 0 μm条形激光二极管的最大输出达 10 .2 W.

准连续5kW叠层激光二极管列阵

报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,峰值波长是 80 9 0nm ,谱线宽度是 4 8nm。

激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合(英文)

利用一段数值孔径 ( NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜 ,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直 ,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中 .激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦合到光纤列阵的单根光纤中 .总的耦合效率和输出光功率分别为 75 %和 15 W.

准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵

研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。

大功率二极管泵浦固体激光器

介绍了近几年来 ,大功率DPSSL的研究状况 ,对各种新出现的DPSSL的核心部件———二极管泵浦头的设计结构作了简要的描述 ,分析。

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析

本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。

60瓦半导体激光器光纤耦合器件

应用光纤列阵耦合方式,对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向用一根柱透镜准直,准直后的光束耦合到光纤列阵中,实现出纤功率为60瓦的大功率半导体激光二极管线列阵光纤耦合器件,耦合效率大于80％,光纤的数值孔径NA为0.11。

侧面泵浦Nd∶YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd∶YAG连续激光器 ,采用了简单、实用的侧面泵浦结构 ,获得 37.9W的连续 1.0 6 4nm的激光输出 ,斜效率为 31.5 % ,光效率为 2 3.7%。

出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件

用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直 ,准直后的光束耦合到光纤列阵中 .大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为 4 0 W,线列阵有 19个发光单元 ,每个发光单元的发光区面积为10 0μm× 1μm .大功率激光二极管线列阵耦合后出纤功率为 30 W,耦合效率为 75 % ,光纤的数值孔径为 0 .

LD列阵泵浦的Nd∶YAG和Nd∶GdVO_4连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦激光头的新结构,用Nd∶YAG晶体作为工作物质,将此结构下激光头的输入输出性能与传统结构下的输入输出性能进行了比较。此外利用这种新结构,对一种新型晶体Nd∶GdVO4进行了实验,获得了连续1064nm的激光输出42.6W,最大光光效率为23.7%。

对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究

介绍了离子清洗技术在提高 980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后 ,半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面 ,并对其进行氩离子清洗 ,俄歇电子能谱 (AES)

LD列阵泵浦Nd:YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd :YAG连续激光器 ,采用了简单、实用的侧面泵浦结构 ,获得 37.9W的连续 10 6 4nm的激光多模输出 ;斜效率为 31.5 % ,光效率为 2 3.7%。文中还对该泵浦头的热透镜效应作了测试。

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合(英文)

将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 .

连续输出 20W AlGaAs/GaAs 量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。

应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉(英文)

介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10 叠层的激光二极管列阵的热阻为0 121℃/W.相邻两个激光条的间距是1 17mm.在20%高占空比条件下,波长为808nm左右,峰值功率可以达到611W.

准连续17kW808nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵

高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器。报道了 17kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果。为了提高器件的输出功率 ,一方面采用宽波导量子阱外延结构 ,降低腔面光功率密度 ,提高单个激光条的输出功率 ,通过金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法进行材料生长 ,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备 1cm激光条 ,填充密度为 80 % ,单个激光条输出功率达 10 0W以上 ;另一方面器件采用高密度叠层封装结构 ,提高器件的总输出功率 ,实现了 16 0个激光条叠层封装 ,条间距 0 5mm。经测试 ,器件输出功率达 17kW ,峰值波长为 80 7 6nm ,谱线宽度为 4 9nm。

侧面抽运Nd:YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面抽运的Nd:YAG连续激光器,获得了37.9W的连续1064um的激光输出,光-光转换效率为23.7％。用光线追迹法对实验中的具体参数进行了数值模拟,指出了实验中的不足之处,对侧面抽运结构的设计作了分析讨论。